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1. (WO2019044497) METHOD FOR PRODUCING CARRIER AND METHOD FOR POLISHING WAFER
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina InternacionalFormular observación

Nº de publicación: WO/2019/044497 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/030303
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 14.08.2018
CIP:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/28 (2012.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
302
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
304
Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte
B TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES
24
TRABAJO CON MUELA; PULIDO
B
MAQUINAS, DISPOSITIVOS O PROCEDIMIENTOS PARA TRABAJAR CON MUELA O PARA PULIR; REAVIVACION O ACONDICIONAMIENTO DE SUPERFICIES ABRASIVAS; ALIMENTACION DE MAQUINAS CON MATERIALES DE RECTIFICAR, PULIR O ALISAR
37
Máquinas o dispositivos de afinado de superficies; Accesorios
27
Porteadores para la pieza
28
para afinado de doble cara en superficies planas
Solicitantes:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
Personas inventoras:
御厨 俊介 MIKURIYA Shunsuke; JP
三浦 友紀 MIURA Tomonori; JP
Mandataria/o:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
Datos de prioridad:
2017-16538730.08.2017JP
Título (EN) METHOD FOR PRODUCING CARRIER AND METHOD FOR POLISHING WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUPPORT ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE TRANCHE
(JA) キャリアの製造方法およびウェーハの研磨方法
Resumen:
(EN) Proposed are: a method for producing a carrier which is capable of suppressing deterioration of the planarity of a polished semiconductor wafer surface even in cases where double side polishing of a semiconductor wafer is performed repeatedly; and a method for polishing a wafer. The present invention is a method for producing a carrier that is provided with: a metal part which has a retaining hole for retaining a semiconductor wafer; and an annular resin part which is arranged along the inner wall that defines the retaining hole of the metal part, and which protects the outer peripheral portion of the semiconductor wafer. This method for producing a carrier comprises a preparation step (step S1) for preparing the metal part and the resin part, an arrangement step (step S2) for arranging the resin part within the retaining hole of the metal part, and a resin part polishing step (step S4) for polishing both surfaces of the resin part; and this method for producing a carrier is characterized by comprising, before the resin part polishing step (step S4), a swelling during manufacturing step (step S3) for swelling the resin part arranged within the retaining hole of the metal part by impregnating the resin part with a first liquid.
(FR) L'invention concerne : un procédé de production d'un support qui est apte à supprimer la détérioration de la planéité d'une surface de tranche de semi-conducteur polie même dans des cas où le polissage double face d'une tranche de semi-conducteur est réalisé de manière répétée; et un procédé de polissage d'une tranche. La présente invention concerne un procédé de production d'un support qui est pourvu : d'une partie métallique qui comporte un trou de retenue pour retenir une tranche de semi-conducteur; et d'une partie de résine annulaire qui est disposée le long de la paroi interne qui délimite le trou de retenue de la partie métallique, et qui protège la partie périphérique externe de la tranche de semi-conducteur. Ledit procédé de fabrication d'un support comprend une étape de préparation (étape S1) consistant à préparer la pièce métallique et la pièce en résine, une étape de mise en place (étape S2) consistant à placer la partie de résine dans le trou de retenue de la partie métallique, et une étape de polissage de partie de résine (étape S4) consistant à polir les deux surfaces de la partie de résine; et ledit procédé de production d'un support est caractérisé en ce qu'il comprend, avant l'étape de polissage de partie de résine (étape S4), un gonflement pendant l'étape de fabrication (étape S3) consistant à gonfler la partie de résine placée dans le trou de retenue de la pièce métallique par imprégnation de la partie de résine avec un premier liquide.
(JA) 半導体ウェーハの両面研磨処理を繰り返し行った場合にも、研磨された半導体ウェーハ表面の平坦度の悪化を抑制することができるキャリアの製造方法およびウェーハの研磨方法を提案する。半導体ウェーハを保持する保持孔を有する金属部と、該金属部の保持孔を画定する内壁に沿って配置され、半導体ウェーハの外周部を保護する環状の樹脂部とを備えるキャリアを製造する方法であって、金属部および樹脂部を準備する準備工程(ステップS1)と、金属部の保持孔内に樹脂部を配置する配置工程(ステップS2)と、樹脂部の両面を研磨する樹脂部研磨工程(ステップS4)とを備える、キャリアの製造方法において、樹脂部研磨工程(ステップS4)に先立って、金属部の保持孔内に配置された樹脂部に第1の液体を含ませて膨潤させる製造時膨潤工程(ステップS3)を備えることを特徴とする。
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Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)