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1. (WO2019044464) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING SOLID-STATE IMAGING DEVICE
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Nº de publicación: WO/2019/044464 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/030106
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 10.08.2018
CIP:
H04N 5/359 (2011.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ELECTRICIDAD
04
TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS
N
TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION
5
Detalles de los sistemas de televisión
30
Transformación de información luminosa o análoga en información eléctrica
335
que utiliza sensores de imagen de estado sólido [SIES]
357
Procesamiento de ruido, p. ej. detección, corrección, reducción o eliminación de ruido
359
aplicado a excesos de carga producidos por la exposición , p. ej. manchado, blooming, imagen fantasma, interferencia o fuga entre pixeles
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
14
con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones
144
Dispositivos controlados por radiación
146
Estructuras de captadores de imágenes
H ELECTRICIDAD
04
TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS
N
TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION
5
Detalles de los sistemas de televisión
30
Transformación de información luminosa o análoga en información eléctrica
335
que utiliza sensores de imagen de estado sólido [SIES]
369
arquitectura SEIS; Circuitos asociados a los mismos
Solicitantes:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Personas inventoras:
渡部 泰一郎 WATANABE, Taiichiro; JP
山口 哲司 YAMAGUCHI, Tetsuji; JP
佐藤 友亮 SATO, Yusuke; JP
古閑 史彦 KOGA, Fumihiko; JP
Mandataria/o:
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Datos de prioridad:
2017-16785231.08.2017JP
Título (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置および固体撮像装置の制御方法
Resumen:
(EN) [Solution] A solid-state imaging device according to an embodiment of the present disclosure is provided with: a first electrode comprising a plurality of independent electrodes; a second electrode arranged opposite to the first electrode; a photoelectric conversion layer provided between the first electrode and the second electrode; and a voltage applying unit for applying different voltages to at least one of the first electrode and the second electrode during a charge storage period and during a non-charge storage period.
(FR) À cet effet, selon un mode de réalisation la présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui comprend : une première électrode comprenant une pluralité d'électrodes indépendantes ; une seconde électrode agencée à l'opposé de la première électrode ; une couche de conversion photoélectrique disposée entre la première électrode et la seconde électrode ; et une unité d'application de tension pour appliquer différentes tensions à au moins une parmi la première électrode et la seconde électrode pendant une période de stockage de charge et pendant une période de stockage de non-charge.
(JA) 【解決手段】本開示の一実施形態の固体撮像装置は、互いに独立する複数の電極からなる第1電極と、第1電極と対向配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換層と、第1電極および第2電極の少なくとも一方に対して、電荷蓄積期間および非電荷蓄積期間において、互いに異なる電圧を印加する電圧印加部とを備える。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)