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1. (WO2019044103) IMAGING ELEMENT, LAMINATED IMAGING ELEMENT, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
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Nº de publicación: WO/2019/044103 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/022008
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 08.06.2018
CIP:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01) ,H01L 27/30 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
14
con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones
144
Dispositivos controlados por radiación
146
Estructuras de captadores de imágenes
H ELECTRICIDAD
04
TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS
N
TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION
5
Detalles de los sistemas de televisión
30
Transformación de información luminosa o análoga en información eléctrica
335
que utiliza sensores de imagen de estado sólido [SIES]
369
arquitectura SEIS; Circuitos asociados a los mismos
374
Dirigido a sensores, p. ej. MOS o sensores CMOS
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
28
con componentes que utilizan materiales orgánicos como la parte activa o que utilizan una combinación de materiales orgánicos con otros materiales como la parte activa
30
con componentes especialmente adaptados para detectar radiación infrarroja, luz, radiación electromagnética de menor longitud de onda o radiación corpuscular; con componentes especialmente adaptados bien para la conversión en energía eléctrica de la energía de dicha radiación o bien para el control de energía eléctrica mediante dicha radiación
Solicitantes:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Personas inventoras:
河合 信宏 KAWAI Nobuhiro; JP
富樫 秀晃 TOGASHI Hideaki; JP
古閑 史彦 KOGA Fumihiko; JP
山口 哲司 YAMAGUCHI Tetsuji; JP
平田 晋太郎 HIRATA Shintarou; JP
渡部 泰一郎 WATANABE Taiichiro; JP
安藤 良洋 ANDO Yoshihiro; JP
Mandataria/o:
山本 孝久 YAMAMOTO Takahisa; JP
吉井 正明 YOSHII Masaaki; JP
Datos de prioridad:
2017-16758631.08.2017JP
Título (EN) IMAGING ELEMENT, LAMINATED IMAGING ELEMENT, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, ÉLÉMENT D'IMAGERIE STRATIFIÉ ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
Resumen:
(EN) According to the present invention, a solid-state imaging element is provided with a pixel having: a first imaging element; a second imaging element; a third imaging element; and an on-chip micro-lens 90, wherein the first imaging element includes a first electrode 11, a third electrode 12, and a second electrode 16. The pixel is further provided with: a third electrode control line VOA that is connected to the third electrode 12; and a plurality of control lines 62B which are respectively connected to various transistors provided in the second imaging element and the third imaging element, and which are different from the third electrode control line VOA. In the pixel, the distance between the center of the on-chip micro-lens 90 provided to the pixel and one of the plurality of control lines 62B provided in the pixel is shorter than the distance between the center of the on-chip micro-lens 90 provided to the pixel and the third electrode control line VOA provided to the pixel.
(FR) Selon la présente invention, un élément d'imagerie à semi-conducteur comprend un pixel ayant : un premier élément d'imagerie ; un second élément d'imagerie ; un troisième élément d'imagerie ; et une microlentille sur puce 90, le premier élément d'imagerie comprenant une première électrode 11, une troisième électrode 12, et une seconde électrode 16. Le pixel comprend en outre : une troisième ligne de commande d'électrode VOA qui est connectée à la troisième électrode 12 ; et une pluralité de lignes de commande 62B qui sont respectivement connectées à divers transistors fournis dans le second élément d'imagerie et le troisième élément d'imagerie, et qui sont différentes de la troisième ligne de commande d'électrode VOA. Dans le pixel, la distance entre le centre de la micro-lentille sur puce 90 fournie au pixel et l'une de la pluralité de lignes de commande 62B fournie au pixel est plus courte que la distance entre le centre de la micro-lentille sur puce 90 fournie au pixel et la troisième ligne de commande d'électrode VOA fournie au pixel.
(JA) 固体撮像素子は、第1撮像素子と第2撮像素子と第3撮像素子とオンチップ・マイクロ・レンズ90とを備えた画素を有し、第1撮像素子は第1電極11と第3電極12と第2電極16とを備え、画素は、第3電極12に接続した第3電極制御線VOAと、第2撮像素子及び第3撮像素子に備えられた各種トランジスタのそれぞれに接続され、第3電極制御線VOAとは異なる複数本の制御線62Bとを更に備え、画素は、画素に備わるオンチップ・マイクロ・レンズ90の中心と、該画素に備わる前記複数本の制御線62Bのいずれかとの間の距離が、該画素に備わるオンチップ・マイクロ・レンズ90の中心と該画素に備わる前記第3電極制御線VOAとの間の距離よりも小さい。
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African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)