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1. (WO2019043973) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2019/043973 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2017/047289
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 28.12.2017
CIP:
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C QUIMICA; METALURGIA
30
CRECIMIENTO DE CRISTALES
B
CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES; SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA; PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; APARATOS PARA ESTOS EFECTOS
29
Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma
10
Compuestos inorgánicos o composiciones inorgánicas
36
Carburos
C QUIMICA; METALURGIA
30
CRECIMIENTO DE CRISTALES
B
CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES; SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA; PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; APARATOS PARA ESTOS EFECTOS
25
Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor
02
Crecimiento de un lecho epitaxial
18
caracterizado por el sustrato
20
siendo el sustrato del mismo material que el lecho epitaxial
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
20
Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
20
Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial
205
utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico
Solicitantes:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Personas inventoras:
堀 勉 HORI, Tsutomu; JP
宮瀬 貴也 MIYASE, Takaya; JP
本家 翼 HONKE, Tsubasa; JP
山本 裕史 YAMAMOTO, Hirofumi; JP
沖田 恭子 OKITA, Kyoko; JP
Mandataria/o:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
Datos de prioridad:
PCT/JP2017/03166801.09.2017JP
Título (EN) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板
Resumen:
(EN) This silicon carbide epitaxial substrate is provided with a single-crystal silicon carbide substrate having a principal surface that has a polytype of 4H and is inclined by an angle θ in an <11-20> orientation from a {0001} plane, and a silicon carbide epitaxial layer of a film thickness t formed on the principal surface. The single-crystal silicon carbide substrate has a diameter of 150 mm or greater. The angle θ is more than 0°, and not more than 6°. Pairs of a pit of a screw dislocation and an oblique line defect present at a location spaced apart by t/tanθ from the pit is present on the surface of the silicon carbide epitaxial layer. The density of pairs of pits and oblique line defects is 0.2/cm2 or less.
(FR) La présente invention concerne un substrat épitaxial de carbure de silicium pourvu d’un substrat de carbure de silicium monocristallin présentant une surface principale qui possède un polytype de 4H et qui est incliné d’un angle θ dans un sens <11-20> depuis un plan {1} et une couche épitaxiale de carbure de silicium d’une épaisseur de film t formée sur la surface principale. Le substrat de carbure de silicium monocristallin présente un diamètre supérieur ou égal à 150 mm. L’angle θ est supérieur à 0° et inférieur ou égal à 6°. Des paires d'un creux d’une dislocation en vis et un défaut de ligne oblique présent à un emplacement espacé de t/tanθ par rapport au creux est présent sur la surface de la couche épitaxiale de carbure de silicium. La densité des paires de creux et des défauts en ligne oblique est inférieure ou égale à 0,2/cm2.
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板は、ポリタイプが4Hであり、{0001}面から<11-20>方位に角度θ傾斜した主面を有する炭化珪素単結晶基板と、主面の上に形成された膜厚tの炭化珪素エピタキシャル層と、を備え、炭化珪素単結晶基板の径は150mm以上であり、角度θは0°を超え6°以下であって、炭化珪素エピタキシャル層の表面には、らせん転位のピットと、ピットよりt/tanθ離れた位置に存在する斜め線欠陥とのペアが存在しており、ピットと斜め線欠陥のペアの密度が0.2個/cm以下である。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)