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1. (WO2019043918) FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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Nº de publicación: WO/2019/043918 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2017/031625
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 01.09.2017
CIP:
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
334
Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar
335
Transistores de efecto de campo
336
con puerta aislada
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
334
Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar
335
Transistores de efecto de campo
338
con puerta Schottky
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
80
estando producido el efecto de campo por una puerta de unión PN u otra unión rectificadora
812
puerta Schottky
Solicitantes:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Personas inventoras:
渡辺 伸介 WATANABE, Shinsuke; JP
Mandataria/o:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
Datos de prioridad:
Título (EN) FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
(JA) 電界効果トランジスタ
Resumen:
(EN) The field-effect transistor according to the present invention is provided with: a semiconductor substrate; a plurality of drain electrodes provided on a first surface of the semiconductor substrate, the drain electrodes extending in a first direction; a plurality of source electrodes arranged alternately with respect to the plurality of drain electrodes; a plurality of gate electrodes, each of which is provided between the plurality of source electrodes and the plurality of drain electrodes; an input terminal connected to the plurality of gate electrodes; an output terminal connected to the plurality of drain electrodes; and a plurality of metal layers provided to the semiconductor substrate so as to be set apart from the first surface, the metal layers extending in a second direction intersecting the first direction. The plurality of metal layers include a first metal layer, and a second metal layer that is longer than the first metal layer and intersects more drain electrodes than does the first metal layer when viewed from a direction perpendicular to the first surface. From among the plurality of drain electrodes, drain electrodes having a greater line length from the input terminal to the output terminal have more metal layers provided immediately below the drain electrodes.
(FR) La présente invention concerne un transistor à effet de champ comprenant : un substrat semi-conducteur ; une pluralité d'électrodes drain disposées sur une première surface du substrat semi-conducteur et s'étendant dans une première direction ; une pluralité d'électrodes source disposées en alternance relativement à la pluralité d'électrodes drain ; une pluralité d'électrodes grille disposées chacune entre la pluralité d'électrodes source et la pluralité d'électrodes drain ; une borne d'entrée reliée à la pluralité d'électrodes grille ; une borne de sortie reliée à la pluralité d'électrodes drain ; et une pluralité de couches métalliques disposées sur le substrat semi-conducteur de façon à être espacées de la première surface, les couches métalliques s'étendant dans une seconde direction croisant la première direction. La pluralité de couches métalliques comprennent une première couche métallique, et une seconde couche métallique qui est plus longue que la première couche métallique et qui croise plus d'électrodes drain que la première couche métallique vues depuis une direction perpendiculaire à la première surface. Certaines électrodes drain de la pluralité d'électrodes drain dont la longueur de ligne de la borne d'entrée à la borne de sortie est supérieure présentent davantage de couches métalliques disposées directement sous les électrodes drain.
(JA) 本願の発明に係る電界効果トランジスタは、半導体基板と、半導体基板の第1面に設けられ、第1方向に伸びる複数のドレイン電極と、複数のドレイン電極と互いに交互に並ぶ複数のソース電極と、複数のソース電極と複数のドレイン電極との間にそれぞれ設けられた複数のゲート電極と、複数のゲート電極と接続された入力端子と、複数のドレイン電極と接続された出力端子と、半導体基板に第1面と離れて設けられ、第1方向と交差する第2方向に伸びる複数の金属層と、を備え、複数の金属層は、第1金属層と、第1金属層よりも長く、第1面と垂直な方向から見て第1金属層よりも多くのドレイン電極と交差する第2金属層と、を含み、複数のドレイン電極のうち入力端子から出力端子までの線路長が短いドレイン電極ほど、直下に多くの金属層が設けられる。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)