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1. (WO2019043890) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER
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Nº de publicación: WO/2019/043890 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2017/031461
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 31.08.2017
CIP:
H01L 21/304 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
302
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
304
Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte
Solicitantes:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 1-2-1 Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
Personas inventoras:
谷本 竜一 TANIMOTO Ryuichi; JP
Mandataria/o:
特許業務法人特許事務所サイクス SIKS & CO.; 東京都中央区京橋一丁目8番7号 京橋日殖ビル8階 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
Datos de prioridad:
Título (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウェーハの製造方法
Resumen:
(EN) Provided is a method for manufacturing a semiconductor wafer, wherein: the method includes a multistage polishing step including three or more stages of polishing steps performed using polishing agents containing abrasive grains; in the multistage polishing step, the abrasive grain concentration of the polishing agent used in the final polishing step of the multistage polishing step, the abrasive grain concentration of the polishing agent used in a one-stage-prior polishing step performed one stage prior to the final polishing step, and the abrasive grain concentration of the polishing agent used in a two-stage-prior polishing step performed two stages prior to the final polishing step satisfy the following relationship 1; and the abrasive grains contained in the polishing agent used in the one-stage-prior polishing step have a degree of association of over 1.50 and an average grain diameter of 65 nm or higher as measured by dynamic light scattering. (Relationship 1) Abrasive grain concentration of the polishing agent used in the two-stage-prior polishing step > abrasive grain concentration of the polishing agent used in the one-stage-prior polishing step > abrasive grain concentration of the polishing agent used in the final polishing step
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une plaquette de semi-conducteur, le procédé comprenant une étape de polissage à étapes multiples comprenant au moins trois étapes d'étapes de polissage effectuées à l'aide d'agents de polissage contenant des grains abrasifs ; lors de l'étape de polissage à étapes multiples, la concentration en grains abrasifs de l'agent de polissage utilisé lors de l'étape de polissage finale de l'étape de polissage à étapes multiples, la concentration en grains abrasifs de l'agent de polissage utilisé lors d'une étape de polissage d'une étape préalable effectuée une étape avant l'étape de polissage finale, et la concentration en grains abrasifs de l'agent de polissage utilisé lors d'une étape de polissage de deux étapes préalables effectuée deux étapes avant l'étape de polissage finale satisfont la relation suivante 1 ; et les grains abrasifs contenus dans l'agent de polissage utilisé lors de l'étape de polissage d'une étape préalable ont un degré d'association de plus de 1,50 et un diamètre de grain moyen supérieur ou égal à 65 nm tel que mesuré par diffusion de lumière dynamique. (Relation 1) Concentration en grains abrasifs de l'agent de polissage utilisé lors de l'étape de polissage de deux étapes préalable > concentration en grains abrasifs de l'agent de polissage utilisé lors de l'étape de polissage d'une étape préalable > concentration en grains abrasifs de l'agent de polissage utilisé lors de l'étape de polissage finale
(JA) 半導体ウェーハの製造方法であって、砥粒を含む研磨剤を用いて行われる3段階以上の研磨工程を含む多段研磨工程を含み、上記多段研磨工程において、この多段研磨工程の最終研磨工程において使用される研磨剤の砥粒濃度と、最終研磨工程の1段階前に行われる1段階前研磨工程において使用される研磨剤の砥粒濃度と、最終研磨工程の2段階前に行われる2段階前研磨工程において使用される研磨剤の砥粒濃度とが下記関係式1を満たし、且つ1段階前研磨工程において使用される研磨剤に含まれる砥粒の動的光散乱法により求められる平均粒径は65nm以上であり且つ会合度は1.50超である半導体ウェーハの製造方法が提供される。 (関係式1) 2段階前研磨工程において使用される研磨剤の砥粒濃度>1段階前研磨工程において使用される研磨剤の砥粒濃度>最終研磨工程において使用される研磨剤の砥粒濃度
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Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)