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1. (WO2019043870) SPRING ELECTRODE FOR PRESS-PACK POWER SEMICONDUCTOR MODULE
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Nº de publicación: WO/2019/043870 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2017/031365
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 31.08.2017
CIP:
H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01R 11/01 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
48
Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
50
Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo deH01L21/06-H01L21/326215
52
Montaje de cuerpos semiconductores en los contenedores
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
25
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
03
siendo todos los dispositivos de un tipo previsto en el mismo subgrupo de los gruposH01L27/-H01L51/191
04
los dispositivos no tienen contenedores separados
07
siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupoH01L29/107
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
25
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
18
siendo los dispositivos de tipos previstos en varios subgrupos diferentes del mismo grupo principal de los gruposH01L27/-H01L51/220
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
R
CONEXIONES CONDUCTORAS DE ELECTRICIDAD; ASOCIACION ESTRUCTURAL DE UNA PLURALIDAD DE ELEMENTOS DE CONEXION ELECTRICA AISLADOS UNOS DE OTROS; DISPOSITIVOS DE ACOPLAMIENTO; COLECTORES DE CORRIENTE
11
Elementos individuales de conexión que aseguran varios puntos de conexión espaciados para órganos conductores que están o pueden estar interconectados de esta forma, p. ej. piezas terminales para hilos o cables, soportadas por el hilo o cable, y que tienen medios para facilitar la conexión eléctrica con cualquier hilo, borne, u órgano conductor, grupos de bornes
01
caracterizados por la forma o por la disposición de la interconexión entre sus emplazamientos de conexión
Solicitantes:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Personas inventoras:
藤田 重人 FUJITA Shigeto; JP
松田 哲也 MATSUDA Tetsuya; JP
Mandataria/o:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Datos de prioridad:
Título (EN) SPRING ELECTRODE FOR PRESS-PACK POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) ÉLECTRODE À RESSORT POUR MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE DE BLOC-PRESSE
(JA) プレスパックパワー半導体モジュール用ばね電極
Resumen:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a spring electrode that prevents disconnection of a power conduction path during short-circuiting of a semiconductor chip in a press-pack power semiconductor module. This spring electrode (101) for a press-pack power semiconductor module comprises: a first electrode (11) that contacts a power semiconductor chip; a second electrode (12) that is disposed facing the first electrode; and a pressure pad connecting the first electrode (11) and the second electrode (12), the pressure pad being flexible in the direction of a normal to the facing surfaces of the first electrode (11) and the second electrode (12). The facing surfaces of the first electrode (11) and the second electrode (12) have pentagonal or greater polygonal shapes. The edges of the facing surface of the first electrode (11) and the edges of the facing surface of the second electrode (12) that correspond to these edges are connected in parallel by the pressure pad (13).
(FR) L'objectif de la présente invention est de fournir une électrode à ressort qui empêche la déconnexion d'un trajet de conduction de puissance pendant un court-circuit d'une puce semi-conductrice dans un module semi-conducteur de puissance de bloc-presse. Cette électrode à ressort (101) pour un module semi-conducteur de puissance de bloc-presse comprend : une première électrode (11) qui entre en contact avec une puce semi-conductrice de puissance ; une seconde électrode (12) qui est disposée en regard de la première électrode ; et un tampon de pression connectant la première électrode (11) et la seconde électrode (12), le tampon de pression étant flexible dans la direction d'une normale aux surfaces opposées de la première électrode (11) et de la seconde électrode (12). Les surfaces opposées de la première électrode (11) et de la seconde électrode (12) ont des formes polygonales au moins pentagonales. Les bords de la surface opposée de la première électrode (11) et les bords de la surface opposée de la seconde électrode (12) qui correspondent à ces bords sont connectés en parallèle par le tampon de pression (13).
(JA) 本発明は、プレスパックパワー半導体モジュールにおいて、半導体チップの短絡時に導電路の断線を防ぐばね電極の提供を目的とする。本発明のプレスパックパワー半導体モジュール用ばね電極(101)は、パワー半導体チップと接触する第1電極(11)と、第1電極に対向して配置される第2電極(12)と、第1電極(11)および第2電極(12)を接続し、第1電極(11)および第2電極(12)の対向面の法線方向に可撓性を有するプレッシャパッドとを備え、第1電極(11)および第2電極(12)の対向面は5角形以上の多角形であり、第1電極(11)の対向面の各辺とこれらの辺に対応する第2電極(12)の対向面の各辺とは、プレッシャパッド(13)により並列接続される。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)