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1. (WO2019043865) SUSCEPTOR, EPITAXIAL GROWTH DEVICE, EPITAXIAL SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, AND EPITAXIAL SILICON WAFER
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Nº de publicación: WO/2019/043865 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2017/031343
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 31.08.2017
CIP:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/458 (2006.01) ,C30B 25/12 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
20
Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial
205
utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
16
Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor
44
caracterizado por el proceso de revestimiento
458
caracterizado por el proceso utilizado para introducir gases en la cámara de reacción o para modificar las corrientes de gas en la cámara de reacción
C QUIMICA; METALURGIA
30
CRECIMIENTO DE CRISTALES
B
CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES; SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA; PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; APARATOS PARA ESTOS EFECTOS
25
Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor
02
Crecimiento de un lecho epitaxial
12
Portasustrato o soportes
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
67
Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido
683
para sostener o sujetar
Solicitantes:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
Personas inventoras:
楢原 和宏 NARAHARA Kazuhiro; JP
Mandataria/o:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
Datos de prioridad:
Título (EN) SUSCEPTOR, EPITAXIAL GROWTH DEVICE, EPITAXIAL SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, AND EPITAXIAL SILICON WAFER
(FR) SUSCEPTEUR, DISPOSITIF DE CROISSANCE ÉPITAXIALE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE, ET TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE
(JA) サセプタ、エピタキシャル成長装置、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、ならびにエピタキシャルシリコンウェーハ
Resumen:
(EN) Provided is a susceptor with which it is possible to increase the circumferential uniformity of the flatness of an epitaxial layer of an epitaxial silicon wafer. A susceptor 100 according to the present invention has a recessed counterbore portion for placing a silicon wafer W, wherein a radial distance L between the center of the susceptor and an opening edge of the counterbore portion varies in the circumferential direction with a period of 90. If the angle of the position at which the radial distance L is a minimum is defined as 0°, the radial distance L has a minimum value L1 at 90°, 180°, and 270°, and the radial distance L has a maximum value L2 at 45°, 135°, 225°, and 315°. The susceptor 100, as viewed from above, has an opening edge 110C defining four elliptic arcs protruding radially outward.
(FR) L'invention concerne un suscepteur avec lequel il est possible d'augmenter l'uniformité circonférentielle de la planéité d'une couche épitaxiale d'une tranche de silicium épitaxiale. Un suscepteur 100 selon la présente invention comprend une partie de lamage en creux pour placer une tranche de silicium W, une distance radiale L entre le centre du suscepteur et un bord d'ouverture de la partie de lamage variant dans la direction circonférentielle selon une période de 90. Si l'angle de la position à laquelle la distance radiale L est un minimum est défini comme 0°, la distance radiale L a une valeur minimale L1 à 90°, 180°, et 270°, et la distance radiale L a une valeur maximale L2 à 45°, 135°, 225° et 315°. Le suscepteur 100, vu de dessus, possède un bord d'ouverture 110C définissant quatre arcs elliptiques faisant saillie radialement vers l'extérieur.
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層の平坦度の周方向均一性を高めることのできるサセプタを提供する。 本発明によるサセプタ100は、シリコンウェーハWが載置される凹形状の座ぐり部が設けられ、サセプタの中心と座ぐり部の開口縁との間の径方向距離Lが90度周期で周方向に変動するとともに、径方向距離Lが最小となる位置の角度を0度としたときに、90度、180度、270度のそれぞれで径方向距離Lが最小値Lとなると共に、45度、135度、225度、315度のそれぞれで径方向距離Lが最大値Lとなり、サセプタ100を上面視したときの開口縁110Cが、径方向外側を凸とする4つの楕円弧を描く。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)