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1. (WO2019043715) TRANSITION-METAL OXIDES-COATED HYDROGEN-TERMINATED DIAMOND SURFACE AND USES THEREOF
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Nº de publicación: WO/2019/043715 Nº de la solicitud internacional: PCT/IL2018/050971
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 02.09.2018
CIP:
H01B 1/04 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 29/16 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
B
CABLES; CONDUCTORES; AISLADORES; ,o EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES CONDUCTORAS, AISLANTES O DIELECTRICAS
1
Conductores o cuerpos conductores caracterizados por los materiales conductores utilizados; Empleo de materiales específicos como conductores
04
compuestos principalmente bien de composición a base de carbono-silicio, bien de carbono, bien de silicio
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
02
Cuerpos semiconductores
12
caracterizados por los materiales de los que están constituidos
16
incluyendo aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, solamente elementos del cuarto grupo de la tabla periódica en forma no combinada
Solicitantes:
TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LTD. [IL/IL]; Senate House Technion City 3200000 Haifa, IL
Personas inventoras:
KALISH, Rafi; IL
TORDJMAN, Moshe; IL
Mandataria/o:
AVITAL, Avihu; BEN-AMI & ASSOCIATES P.O Box 94 7610002 Rehovot, IL
Datos de prioridad:
62/553,87103.09.2017US
Título (EN) TRANSITION-METAL OXIDES-COATED HYDROGEN-TERMINATED DIAMOND SURFACE AND USES THEREOF
(FR) SURFACE DE DIAMANT À TERMINAISON D'HYDROGÈNE REVÊTUE D'OXYDES DE MÉTAUX DE TRANSITION ET UTILISATIONS ASSOCIÉES
Resumen:
(EN) The present invention provides a conducting material comprising a carbon-based material selected from a diamond or an insulating diamond-like carbon, having a hydrogen- terminated surface and a layer of tungsten trioxide, rhenium trioxide, or chromium oxide coating said hydrogen-terminated surface. Such conducting materials are useful in the fabrication of electronic components, electrodes, sensors, diodes, field effect transistors, and field emission electron sources.
(FR) La présente invention concerne un matériau conducteur comprenant un matériau à base de carbone sélectionné parmi un diamant ou un carbone de type diamant isolant, ayant une surface à terminaison hydrogène et une couche de trioxyde de tungstène, de trioxyde de rhénium ou d'oxyde de chrome recouvrant ladite surface à terminaison hydrogène. Ces matériaux conducteurs sont utiles dans la fabrication de composants électroniques, d'électrodes, de capteurs, de diodes, de transistors à effet de champ et de sources d'électrons à émission de champ.
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)