Parte del contenido de esta aplicación no está disponible en este momento.
Si esta situación persiste, contáctenos aComentarios y contacto
1. (WO2019043206) PHASE TRANSITION THIN FILM DEVICE
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina InternacionalFormular observación

Nº de publicación: WO/2019/043206 Nº de la solicitud internacional: PCT/EP2018/073550
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 31.08.2018
CIP:
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01) ,H03H 9/42 (2006.01) ,G01L 9/00 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
45
Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación, amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos; Dispositivos con efecto Ovshinsky; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
49
Dispositivos de estado sólido no cubiertos por los gruposH01L27/-H01L47/164; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
H
REDES DE IMPEDANCIA, p. ej. CIRCUITOS RESONANTES; RESONADORES
9
Redes que comprenden dispositivos electromecánicos o electroacústicos; Resonadores electromecánicos
30
Redes retardadoras
42
que utilizan ondas acústicas de superficie
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
L
MEDIDA DE FUERZAS, TENSIONES, PARES, TRABAJO, POTENCIA MECANICA, RENDIMIENTO MECANICO O DE LA PRESION DE LOS FLUIDOS
9
Medida de la presión permanente, o cuasi-permanente de un fluido o de un material sólido fluyente por elementos eléctricos o magnéticos sensibles a la presión; Transmisión o indicación por medios eléctricos o magnéticos del desplazamiento de los elementos mecánicos sensibles a la presión, utilizados para medir la presión permanente o cuasi-permanente de un fluido o de un material sólido fluyente
Solicitantes:
KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN [BE/BE]; KU Leuven R&D Waaistraat 6 - box 5105 3000 Leuven, BE
Personas inventoras:
LOCQUET, Jean-Pierre; BE
SEO, Jin Won Maria; BE
MENGHINI, Mariela; BE
HOMM JARA, Pia; BE
Mandataria/o:
DENK IP BVBA; BE
HERTOGHE, Kris; BE
Datos de prioridad:
1713937.931.08.2017GB
1713940.331.08.2017GB
1810275.622.06.2018GB
1810969.404.07.2018GB
Título (EN) PHASE TRANSITION THIN FILM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FILM MINCE À TRANSITION DE PHASE
Resumen:
(EN) The disclosed device comprises a thin film layer (4) of a phase transition material disposed over a substrate (2), and a confinement layer (3) adjacent to the thin film layer. The thin film layer has first and second in-plane lattice parameters and an out-of-plane lattice parameter when undergoing the phase transition, and the confinement layer has first and second in-plane layer lattice parameters and an out-of-plane layer lattice parameter. The confinement layer lattice parameters are within a range which allows to control the onset of and/or block the phase transition.
(FR) Le dispositif selon la présente invention comprend une couche de film mince (4) d'un matériau de transition de phase disposé sur un substrat (2), et une couche de confinement (3) adjacente à la couche de film mince. La couche de film mince comprend des premier et second paramètres de réseau dans le plan et un paramètre de réseau hors plan lors de sa soumission à la transition de phase, et la couche de confinement comprend des premier et second paramètres de réseau de couche dans le plan et un paramètre de réseau de couche hors plan. Les paramètres de réseau de la couche de confinement s'inscrivent dans une plage permettant de commander le déclenchement et/ou le blocage de la transition de phase.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)