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1. (WO2019042662) SEMICONDUCTOR PHOTOMULTIPLIER WITH IMPROVED OPERATING VOLTAGE RANGE
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Nº de publicación: WO/2019/042662 Nº de la solicitud internacional: PCT/EP2018/070088
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 25.07.2018
CIP:
G01T 1/24 (2006.01)
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
T
MEDIDA DE RADIACIONES NUCLEARES O DE RAYOS X
1
Medida de los rayos X, rayos gamma, radiaciones corpusculares o de las radiaciones cósmicas
16
Medida de la intensidad de radiación
24
con detectores de semiconductores
Solicitantes:
SENSL TECHNOLOGIES LTD [IE/IE]; Building 6800, Avenue 6000 Cork Airport Business Park Cork, T12 CDF7, IE
Personas inventoras:
DALY, Paul Malachy; IE
JACKSON, John Carlton; IE
Mandataria/o:
MANITZ FINSTERWALD PATENT- UND RECHTSANWALTSPARTNERSCHAFT MBB; Postfach 31 02 20 80102 München, DE
Datos de prioridad:
15/689,13529.08.2017US
Título (EN) SEMICONDUCTOR PHOTOMULTIPLIER WITH IMPROVED OPERATING VOLTAGE RANGE
(FR) PHOTOMULTIPLICATEUR À SEMI-CONDUCTEURS À PLAGE DE TENSION DE FONCTIONNEMENT AMÉLIORÉE
Resumen:
(EN) The present disclosure relates to a semiconductor photomultiplier (100) comprising an array of interconnected microcells; wherein the array comprises at least a first type of microcell (125) having a first junction region of a first geometric shape; and a second type of microcell (225) having a second junction region of a second geometric shape.
(FR) La présente invention concerne un photomultiplicateur à semi-conducteurs (100) comprenant un réseau de microcellules interconnectées; le réseau comprenant au moins un premier type de microcellules (125) présentant une première région de jonction d'une première forme géométrique; et un second type de microcellules (225) présentant une seconde région de jonction d'une seconde forme géométrique.
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)