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1. (WO2019042580) MICROMECHANICAL STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING THE MICROMECHANICAL STRUCTURE
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Nº de publicación: WO/2019/042580 Nº de la solicitud internacional: PCT/EP2018/000415
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 24.08.2018
CIP:
C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 37/02 (2006.01) ,H01L 41/316 (2013.01) ,C23C 28/04 (2006.01)
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
14
Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento
06
caracterizado por el material de revestimiento
08
Oxidos
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
14
Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento
22
caracterizado por el proceso de revestimiento
34
Pulverización catódica
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
37
Dispositivos termoeléctricos sin unión de materiales diferentes; Dispositivos termomagnéticos, p. ej. que utilizan el efecto Nernst-Ettinghausen; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas
02
utilizando el cambio térmico de la constante dieléctrica, p. ej. trabajando por encima o por debajo del punto de Curie
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
22
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la montaje, fabricación o tratamiento de estos elementos o de sus partes constitutivas
31
Aplicando piezoeléctricos o partes electroestrictivos o cuerpos hasta un elemento eléctrico u otra base
314
depositando capas piezoeléctricos o electroestrictivos, p. ej.:aerosol o impresión de pantalla
316
por deposición en fase vapor
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
28
Revestimiento para obtener al menos dos capas superpuestas, bien por procesos no previstos en uno solo de los grupos principales C23C2/-C23C26/236
04
Revestimientos solamente de materiales inorgánicos no metálicos
Solicitantes:
SPECTROLYTIC LTD. [GB/GB]; 1.6 Techcube, Summerhall Edinburgh EH91PL, GB
Personas inventoras:
WIESENT, Benjamin; GB
Mandataria/o:
PATERIS Patentanwälte; Postfach 33 07 11 80067 München, DE
Datos de prioridad:
10 2017 008 146.828.08.2017DE
10 2018 004 257.026.05.2018DE
Título (EN) MICROMECHANICAL STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING THE MICROMECHANICAL STRUCTURE
(FR) STRUCTURE MICROMÉCANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LA STRUCTURE MICROMÉCANIQUE
(DE) MIKROMECHANIKSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DER MIKROMECHANIKSTRUKTUR
Resumen:
(EN) The invention relates to a micromechanical structure comprising a substrate (1), an adhesion layer (3) which is applied onto the substrate (1); a first metal layer (4) which is applied onto the adhesion layer (3); a ferroelectric layer (5) which is applied onto the first metal layer (4) and has lead zirconate titanate and the lead concentration of which decreases in a stepped manner as the distance to the first metal layer (3) increases such that the ferroelectric layer (5) has multiple sub-layers (13), in which the respective lead concentration is consistent; and a second metal layer which is applied onto the ferroelectric layer (5).
(FR) L’invention concerne une structure micromécanique comprenant un substrat (1), une couche d’adhésion (3) appliquée sur le substrat (1) ; une première couche métallique (4) appliquée sur la couche d’adhésion (3) ; une couche ferroélectrique (5) qui est appliquée sur la première couche métallique (4), qui contient du plomb zirconium titanate et dont la concentration en plomb diminue par paliers à mesure qu’augmente la distance séparant de la première couche métallique (3) de manière telle que la couche ferroélectrique (5) présente plusieurs couches partielles (13) dont la concentration en plomb respective est uniforme ; et une deuxième couche métallique qui est appliquée sur la couche ferroélectrique (5).
(DE) Die Erfindung betrifft eine Mikromechanikstruktur mit einem Substrat (1 ), einer Adhäsionsschicht (3), die auf das Substrat (1 ) aufgebracht ist, einer ersten Metallschicht (4), die auf die Adhäsionsschicht (3) aufgebracht ist, einer ferroelektrischen Schicht (5), die auf die erste Metallschicht (4) aufgebracht ist und die Bleizirkonattitanat aufweist sowie deren Bleikonzentration stufenförmig mit zunehmenden Abstand von der ersten Metallschicht (3) abnimmt, so dass die ferroelektrische Schicht (5) mehrere Teilschichten (13) aufweist, bei denen jeweils die Bleikonzentration einheitlich ist, und einer zweiten Metallschicht, die auf die ferroelektrische Schicht (5) aufgebracht ist.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Alemán (DE)
Idioma de la solicitud: Alemán (DE)