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1. (WO2019042118) METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
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Nº de publicación: WO/2019/042118 Nº de la solicitud internacional: PCT/CN2018/100236
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 13.08.2018
CIP:
H01L 21/335 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
334
Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar
335
Transistores de efecto de campo
Solicitantes:
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
PEKING UNIVERSITY [CN/CN]; No.5 Yiheyuan Rd., Haidian District Beijing 100871, CN
Personas inventoras:
MENG, Hu; CN
LIANG, Xuelei; CN
XIA, Jiye; CN
TIAN, Boyuan; CN
DONG, Guodong; CN
HUANG, Qi; CN
Mandataria/o:
TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Datos de prioridad:
201710774682.531.08.2017CN
Título (EN) METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À COUCHES MINCES, TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE RÉSEAU, ET APPAREIL D'AFFICHAGE
Resumen:
(EN) A method of fabricating a thin film transistor. The method includes selecting a nano-structure material having a monotonic relationship between a threshold voltage and a channel length when the nano-structure material is formed as a channel part in a thin film transistor; forming an active layer using the nano-structure material; determining a nominal channel length of a channel part of the thin film transistor based on the monotonic relationship and a reference threshold voltage so that the thin film transistor is formed to have a nominal threshold voltage; and forming a source electrode and a drain electrode thereby forming the channel part in the active layer having the nominal channel length.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à couches minces. Le procédé consiste à sélectionner un matériau de nano-structure ayant une relation monotone entre une tension seuil et une longueur de canal lorsque le matériau de nano-structure est formé en tant que partie de canal dans un transistor à couches minces ; à former une couche active à l'aide du matériau de nano-structure ; à déterminer une longueur de canal nominale d'une partie de canal du transistor à couches minces sur la base de la relation monotone et d'une tension seuil de référence de sorte que le transistor à couches minces est formé pour avoir une tension seuil nominale ; et à former une électrode de source et une électrode de drain, formant ainsi la partie de canal dans la couche active ayant la longueur de canal nominale.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)