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1. (WO2019042052) SEMICONDUCTOR DEVICE
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Nº de publicación: WO/2019/042052 Nº de la solicitud internacional: PCT/CN2018/097167
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 26.07.2018
CIP:
H01L 29/73 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
70
Dispositivos bipolares
72
Dispositivos del tipo transistor, es decir, capaces de responder continuamente a las señales de control aplicadas
73
Transistores bipolares de unión
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
70
Dispositivos bipolares
72
Dispositivos del tipo transistor, es decir, capaces de responder continuamente a las señales de control aplicadas
739
controlados por efecto de campo
Solicitantes:
昆仑芯电子科技(深圳)有限公司 KUNLUNCHIP ELECTRONIC TECHNOLOGY (SHENZHEN) CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 福田区福保街道菩提路68号金桂大厦A座三楼368B Room 368 B, Floor 3, Block A, Jingui Mansion 68 Puti Road, Fubao Subdistrict, Futian District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Personas inventoras:
吕信江 LYU, Xinjiang; CN
Mandataria/o:
广州市天河区倪律专利代理事务所(普通合伙) WINGUAN PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS; 中国广东省广州市 天河区思成路23号607 607, 23 Sicheng Road, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510663, CN
Datos de prioridad:
201710757159.129.08.2017CN
Título (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 一种半导体器件
Resumen:
(EN) A semiconductor device, comprising at least one cell. The structure of any cell comprises: an N-type substrate; at least one first groove unit and at least one second groove unit provided at one side of the N-type substrate; at least one P-type semiconductor region provided at the other side of the N-type substrate, the P-type semiconductor region being an anode region; at least one N-type current-carrier barrier region; and at least one P-type electric field shielding region. The purpose of the present invention is to provide a semiconductor device, which has a novel cell structure to obtain: a large safe operating area; an anti-short circuit capability; a function of eliminating a parasitic thyristor; low gate to collector charge (QGC) to obtain the highest anti-dv/dt capability; enhancement on conductivity modulation at an emitter side to obtain large electric current density and low forward voltage drop; small turn-off loss; and low process complexity.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant au moins une cellule. La structure de n'importe quelle cellule comprend : un substrat de type N ; au moins une première unité de rainure et au moins une seconde unité de rainure disposées sur un côté du substrat de type N ; au moins une région semi-conductrice de type P disposée sur l'autre côté du substrat de type N, la région semi-conductrice de type P étant une région d'anode ; au moins une région de barrière de porteur de courant de type N ; et au moins une région de blindage de champ électrique de type P. Le but de la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteur, qui a une nouvelle structure de cellule pour obtenir : une grande zone de fonctionnement sûre ; une capacité anti court-circuit ; une fonction d'élimination d'un thyristor parasite ; une charge grille à collecteur faible (QGC) pour obtenir la capacité anti-dv/dt la plus élevée ; l'amélioration de la modulation de conductivité au niveau d'un côté émetteur pour obtenir une grande densité de courant électrique et une faible chute de tension directe ; une faible perte de mise hors service ; et une faible complexité de traitement.
(ZH) 一种半导体器件,包括至少一个元胞,且任意一个元胞的结构包括:N型基底;在N型基底的一侧包含至少一个第一槽单元和至少一个第二槽单元;在N型基底的另一侧包含至少一个P型半导体区,P型半导体区称为阳极区;至少一个N型载流子势垒区;至少一个P型电场屏蔽区。本发明的目的在于提出一种半导体器件,该半导体器件具有新型的元胞结构,以获得:大的安全工作区;抗短路能力;消除寄生晶闸管的作用;低栅-集电极电荷(QGC)以获得最大的抗dv/dt能力;增加发射极侧电导调制,以获得较大的电流密度和极低的导通压降;较小的关断损耗;较低的工艺复杂性。
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Chino (ZH)
Idioma de la solicitud: Chino (ZH)