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1. (WO2019041797) ETCHING METHOD FOR ELECTRODE FOIL FOR LOW-CONTACT RESISTANCE LOW-VOLTAGE ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR
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Nº de publicación: WO/2019/041797 Nº de la solicitud internacional: PCT/CN2018/080808
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 28.03.2018
CIP:
H01G 9/055 (2006.01) ,C23F 1/20 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
G
CONDENSADORES; CONDENSADORES, RECTIFICADORES, DETECTORES, CONMUTADORES O DISPOSITIVOS FOTOSENSIBLES O SENSIBLES A LA TEMPERATURA, DEL TIPO ELECTROLITICO
9
Condensadores electrolíticos, rectificadores electrolíticos, detectores electrolíticos, conmutadores, dispositivos de conmutación electrolíticos, dispositivos electrolíticos fotosensibles o sensibles a la temperatura; Procesos para su fabricación
004
Detalles
04
Electrodos
048
caracterizados por su estructura
055
Electrodos de lámina fina atacada químicamente
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
F
LEVANTAMIENTO NO MECANICO DE MATERIAL METALICO DE LAS SUPERFICIES; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS; MEDIOS PARA IMPEDIR LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL; PROCESOS EN MULTIPLES ETAPAS PARA EL TRATAMIENTO DE LA SUPERFICIE DE MATERIALES METALICOS UTILIZANDO AL MENOS UN PROCESO CUBIERTO POR LA CLASE C23 Y AL MENOS UN PROCESO CUBIERTO BIEN POR LA SUBCLASE C21D  BIEN POR LA SUBCLASE C22F O POR LA CLASE C25410
1
Decapado de materiales metálicos por medios químicos
10
Composiciones de decapado
14
Composiciones acuosas
16
Composiciones ácidas
20
para el aluminio o sus aleaciones
Solicitantes:
南通海星电子股份有限公司 NANTONG HAIXING ELECTRONICS LIMITED LIABILITY COMPANY [CN/CN]; 中国江苏省南通市 通州区平潮镇通扬南路518号 No.518, South Tongyang Road, Pingchao Town, Tongzhou District Nantong, Jiangsu 226300, CN
南通海一电子有限公司 NANTONG HAIYI ELECTRONICS CO., LIMITED [CN/CN]; 中国江苏省南通市 通州区平潮镇通扬南路519号 No.519, South Tongyang Road, Pingchao Town, Tongzhou District Nantong, Jiangsu 226300, CN
Personas inventoras:
严季新 YAN, Jixin; CN
陈健 CHEN, Jian; CN
王建中 WANG, Jianzhong; CN
赵宇飞 ZHAO, Yufei; CN
吴春春 WU, Chunchun; CN
冒慧敏 MAO, Huimin; CN
Mandataria/o:
南京正联知识产权代理有限公司 NANJING ZHENGLIAN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD.; 中国江苏省南京市 汉中门大街一号金鹰汉中新城27层 27/F Golden Eagle Hanzhong New City, No.1 Hanzhongmen Street Nanjing, Jiangsu 210029, CN
Datos de prioridad:
201710765155.830.08.2017CN
Título (EN) ETCHING METHOD FOR ELECTRODE FOIL FOR LOW-CONTACT RESISTANCE LOW-VOLTAGE ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE POUR FEUILLE D'ÉLECTRODE POUR CONDENSATEUR ÉLECTROLYTIQUE EN ALUMINIUM BASSE TENSION À FAIBLE RÉSISTANCE DE CONTACT
(ZH) 一种低接触电阻低压铝电解电容器用电极箔腐蚀方法
Resumen:
(EN) Disclosed is an etching method for an electrode foil for a low-contact resistance low-voltage aluminum electrolytic capacitor, comprising the steps of: performing a pretreatment by means of immersion in a sodium hydroxide solution; performing power-on etching for 10-85 seconds in a hydrochloric acid and sulfuric acid solution; immersing in the hydrochloric acid and sulfuric acid solution for 10-85 seconds, rinsing by means of tap water, and repeating the etching, immersion and rinsing steps four times; performing pore broadening power-on etching for 10-85 seconds in a hydrochloric acid, sulfuric acid and phosphoric acid etching liquid, immersing for 10-85 seconds in the hydrochloric acid, sulfuric acid and phosphoric acid etching liquid, rinsing by means of tap water, and repeating the etching, immersion and rinsing steps eight times; and immersing by means of a hydrochloric acid solution, immersing by means of a nitric acid solution, rinsing by means of pure water, and then performing an annealing treatment. The etching method utilizes multi-level pore-forming multi-level low frequency pore broadening to control the etched morphology, and correspondingly performs multiple steps of treatments in a bath solution and warm rinsing to enable the aluminium powder and foreign ions to be fully rinsed during the etching process in order to finally obtain an electrode foil for a low-contact resistance low-voltage aluminium electrolytic capacitor, wherein the electrode foil is uniform in terms of the thickness of the residual core layer, is suitable in terms of the aluminium content in the etched layer, and is low in terms of the aluminium powder and foreign ion contents, and the contact resistance, after formation, can be reduced by 40% or more.
(FR) L'invention concerne un procédé de gravure pour une feuille d'électrode pour un condensateur électrolytique en aluminium basse tension à faible résistance de contact, comprenant les étapes consistant à : effectuer un prétraitement par immersion dans une solution d'hydroxyde de sodium ; effectuer une gravure de puissance pendant 10 à 85 secondes dans une solution d'acide chlorhydrique et d'acide sulfurique ; immerger dans l'acide chlorhydrique et la solution d'acide sulfurique pendant 10 à 85 secondes, rincer au moyen d'eau du robinet, et répéter les étapes de gravure, d'immersion et de rinçage quatre fois ; effectuer une gravure de puissance d'élargissement de pores pendant 10 à 85 secondes dans un acide chlorhydrique, de l'acide sulfurique et un liquide de gravure d'acide phosphorique, immerger pendant 10 à 85 secondes dans l'acide chlorhydrique, l'acide sulfurique et le liquide de gravure d'acide phosphorique, rincer au moyen d'eau du robinet, et répéter les étapes de gravure, d'immersion et de rinçage huit fois ; et immerger au moyen d'une solution d'acide chlorhydrique, immerger au moyen d'une solution d'acide nitrique, rincer au moyen d'eau pure, puis effectuer un traitement de recuit. Le procédé de gravure utilise un élargissement de pores basse fréquence multi-niveaux formant des pores multi-niveaux pour commander la morphologie gravée, et réalise de manière correspondante de multiples étapes de traitements dans une solution de bain et un rinçage à chaud pour permettre à la poudre d'aluminium et aux ions étrangers d'être complètement rincés pendant le processus de gravure afin d'obtenir finalement une feuille d'électrode pour un condensateur électrolytique d'aluminium basse tension à faible résistance de contact, la feuille d'électrode étant uniforme en termes d'épaisseur de la couche centrale résiduelle, étant appropriée en termes de teneur en aluminium dans la couche gravée, et étant faible en termes de poudre d'aluminium et de contenu d'ions étrangers, et la résistance de contact, après la formation, pouvant être réduite de 40 % ou plus.
(ZH) 本发明公开了一种低接触电阻低压铝电解电容器用电极箔腐蚀方法,包括以下步骤:用氢氧化钠溶液浸泡前处理;盐酸、硫酸溶液加电腐蚀10~85秒,盐酸、硫酸溶液浸泡10~85秒,自来水清洗,重复腐蚀、浸泡及清洗步骤4次;在盐酸、硫酸及磷酸腐蚀液中进行扩孔加电腐蚀10~85秒,盐酸、硫酸及磷酸溶液浸泡10~85秒,自来水清洗,重复腐蚀、浸泡及清洗步骤8次;采用盐酸溶液浸泡、硝酸溶液浸泡,纯水清洗后退火处理。本发明采用多级发孔多级低频扩孔控制腐蚀形貌,并对应进行多步槽液中处理及温水清洗,使腐蚀过程的铝粉及杂质离子得到充分清洗,最终得到残芯层厚度均匀、腐蚀层铝含量适中、铝粉及杂质离子含量低的低接触电阻低压铝电解电容器用电极箔,化成后接触电阻可降低40%以上。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Chino (ZH)
Idioma de la solicitud: Chino (ZH)