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1. (WO2019041248) THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR
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Nº de publicación: WO/2019/041248 Nº de la solicitud internacional: PCT/CN2017/099983
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 31.08.2017
CIP:
H01L 29/786 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786
Transistores de película delgada
Solicitantes:
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Personas inventoras:
LIU, Wei; CN
Mandataria/o:
TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Datos de prioridad:
Título (EN) THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE RÉSEAU, APPAREIL D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
Resumen:
(EN) Provided is a thin film transistor. The thin film transistor includes a first source electrode (20) and a first drain electrode (30) spaced apart from each other; an active layer (10) on the first source electrode (20) and the first drain electrode (30), the active layer (10) having a channel part (1) between the first source electrode (20) and the first drain electrode (30), a source electrode contact part (2a) in contact with the first source electrode (20), and a drain electrode contact part (3a) in contact with the first drain electrode (30); a second source electrode (21) on a side of the source electrode contact part (2a) distal to the first source electrode (20), the second source electrode (21) being electrically connected to the first source electrode (20);and a second drain electrode (31) on a side of the drain electrode contact part (3a) distal to the first drain electrode (30), the second drain electrode (31)being electrically connected to the first drain electrode (30).
(FR) L'invention concerne un transistor à couches minces. Le transistor à couches minces comprend une première électrode de source (20) et une première électrode de drain (30) espacées l'une de l'autre; une couche active (10) sur la première électrode de source (20) et la première électrode de drain (30), la couche active (10) ayant une partie de canal (1) entre la première électrode de source (20) et la première électrode de drain (30), une partie de contact d'électrode de source (2a) en contact avec la première électrode de source (20), et une partie de contact d'électrode de drain (3a) en contact avec la première électrode de drain (30); une seconde électrode de source (21) sur un côté de la partie de contact d'électrode de source (2a) distal par rapport à la première électrode de source (20), la seconde électrode de source (21) étant électroconnectée à la première électrode de source (20); et une seconde électrode de drain (31) sur un côté de la partie de contact d'électrode de drain (3a) distal par rapport à la première électrode de drain (30), la seconde électrode de drain (31) étant électroconnectée à la première électrode de drain (30).
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)