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1. (WO2019039355) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina InternacionalFormular observación

Nº de publicación: WO/2019/039355 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/030292
Fecha de publicación: 28.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 14.08.2018
CIP:
G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
004
Materiales fotosensibles
09
caracterizados por detalles de estructura, p. ej. soportes, capas auxiliares
11
con capas de recubrimiento o capas intermedias, p. ej. capas de anclaje
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
20
Exposición; Aparellaje a este efecto
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
027
Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior, no prevista en el grupoH01L21/18óH01L21/34232
Solicitantes:
日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 5-1, Nihonbashi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1036119, JP
Personas inventoras:
緒方 裕斗 OGATA, Hiroto; JP
臼井 友輝 USUI, Yuki; JP
遠藤 雅久 ENDO, Masahisa; JP
岸岡 高広 KISHIOKA, Takahiro; JP
Mandataria/o:
特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; 東京都千代田区神田駿河台3丁目2番地 新御茶ノ水アーバントリニティ Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062, JP
Datos de prioridad:
2017-16148024.08.2017JP
Título (EN) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM
(FR) COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UN FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSINE
(JA) レジスト下層膜形成組成物
Resumen:
(EN) [Problem] To provide a novel composition for forming a resist underlayer film. [Solution] A composition for forming a resist underlayer film, which contains a copolymer having a constituent unit represented by formula (1) and a solvent. (In the formula, X represents a bivalent linear hydrocarbon group having 2 to 10 carbon atoms, wherein the bivalent linear hydrocarbon group may have at least one sulfur or oxygen atom in the main chain thereof and may have at last one hydroxy group as a substituent; R represents a linear hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms; and two n's independently represent 0 or 1.)
(FR) L'invention concerne une nouvelle composition de formation d'un film de sous-couche de résine. La solution selon l'invention porte sur une composition pour la formation d'un film de sous-couche de résine qui contient un copolymère ayant une unité structurelle représentée par la formule (1), et un solvant. Dans la formule, X représente un groupe hydrocarbure linéaire bivalent ayant 2 à 10 atomes de carbone, le groupe hydrocarbure linéaire bivalent pouvant avoir au moins un atome de soufre ou d'oxygène dans sa chaîne principale et pouvant avoir au moins un groupe hydroxy en tant que substituant; R représente un groupe hydrocarbure linéaire ayant de 1 à 10 atomes de carbone; et deux n représentent indépendamment 0 ou 1.
(JA) 【課題】 新規なレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】下記式(1)で表される構造単位を有する共重合体及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物。(上記式中、Xは炭素原子数2乃至10の二価の鎖状炭化水素基を表し、該二価の鎖状炭化水素基は、主鎖に硫黄原子又は酸素原子を少なくとも1つ有していてもよく、また置換基としてヒドロキシ基を少なくとも1つ有していてもよく、Rは炭素原子数1乃至10の鎖状炭化水素基を表し、2つのnはそれぞれ0又は1を表す。)
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Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)