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1. (WO2019039290) ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN-FORMING METHOD, METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE, RESIST FILM-EQUIPPED MASK BLANK, PATTERN-FORMING METHOD FOR RESIST FILM-EQUIPPED MASK BLANK
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Nº de publicación: WO/2019/039290 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/029765
Fecha de publicación: 28.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 08.08.2018
CIP:
G03F 7/004 (2006.01) ,C07C 381/12 (2006.01) ,C07D 231/54 (2006.01) ,C07D 265/10 (2006.01) ,C07D 275/04 (2006.01) ,C07D 281/18 (2006.01) ,C07D 309/08 (2006.01) ,C07D 319/06 (2006.01) ,C07D 327/08 (2006.01) ,C07D 333/42 (2006.01) ,C07D 333/46 (2006.01) ,C07D 333/76 (2006.01) ,C07D 335/02 (2006.01) ,C07D 493/04 (2006.01) ,C07D 493/08 (2006.01) ,C08K 5/42 (2006.01) ,C08L 101/00 (2006.01) ,G03F 1/82 (2012.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,C09K 3/00 (2006.01)
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
004
Materiales fotosensibles
04
Cromatos
C QUIMICA; METALURGIA
07
QUIMICA ORGANICA
C
COMPUESTOS ACICLICOS O CARBOCICLICOS
381
Compuestos que contienen carbono y azufre y que tienen grupos funcionales no cubiertos por los gruposC07C301/-C07C337/208
12
Compuestos de sulfonio
C QUIMICA; METALURGIA
07
QUIMICA ORGANICA
D
COMPUESTOS HETEROCICLICOS
231
Compuestos heterocíclicos que contienen ciclos de diazol-1,2 o diazol-1,2 hidrogenado
54
condensados con ciclos o sistemas cíclicos carbocíclicos
C QUIMICA; METALURGIA
07
QUIMICA ORGANICA
D
COMPUESTOS HETEROCICLICOS
265
Compuestos heterocíclicos que contienen ciclos de seis miembros que tienen un átomo de nitrógeno y un átomo de oxígeno como únicos heteroátomos del ciclo
04
Oxazinas-1,3; Oxazinas-1,3 hidrogenadas
06
no condensadas con otros ciclos
08
que tienen un enlace doble entre miembros cíclicos o entre miembros cíclicos y no cíclicos
10
con átomos de oxígeno unidos directamente a los átomos de carbono del ciclo
C QUIMICA; METALURGIA
07
QUIMICA ORGANICA
D
COMPUESTOS HETEROCICLICOS
275
Compuestos heterocíclicos que contienen ciclos de tiazol-1,2 o tiazol-1,2 hidrogenado
04
condensados con ciclos o sistemas cíclicos carbocíclicos
C QUIMICA; METALURGIA
07
QUIMICA ORGANICA
D
COMPUESTOS HETEROCICLICOS
281
Compuestos heterocíclicos que contienen ciclos de más de seis miembros que tienen un átomo de nitrógeno y un átomo de azufre como únicos heteroátomos del ciclo
18
Ciclos de ocho miembros
C QUIMICA; METALURGIA
07
QUIMICA ORGANICA
D
COMPUESTOS HETEROCICLICOS
309
Compuestos heterocíclicos que contienen ciclos de seis miembros que tienen un átomo de oxígeno como único heteroátomo del ciclo, no condensados con otros ciclos
02
que no tienen enlaces dobles entre miembros cíclicos o entre miembros cíclicos y no cíclicos
08
con heteroátomos o con átomos de carbono que tienen tres enlaces a heteroátomos, con a lo más un enlace a halógeno, p. ej. radicales éster o nitrilo, unidos directamente a los átomos de carbono del ciclo
C QUIMICA; METALURGIA
07
QUIMICA ORGANICA
D
COMPUESTOS HETEROCICLICOS
319
Compuestos heterocíclicos que contienen ciclos de seis miembros que tienen dos átomos de oxígeno como únicos heteroátomos del ciclo
04
Dioxanos-1,3; Dioxanos-1,3 hidrogenados
06
no condensados con otros ciclos
C QUIMICA; METALURGIA
07
QUIMICA ORGANICA
D
COMPUESTOS HETEROCICLICOS
327
Compuestos heterocíclicos que contienen ciclos que tienen átomos de oxígeno y azufre como únicos heteroátomos del ciclo
02
un átomo de oxígeno y un átomo de azufre
06
Ciclos de seis miembros
08
[b, e]-condensados con dos ciclos carbocíclicos de seis miembros
C QUIMICA; METALURGIA
07
QUIMICA ORGANICA
D
COMPUESTOS HETEROCICLICOS
333
Compuestos heterocíclicos que contienen ciclos de cinco miembros que tienen un átomo de azufre como único heteroátomo del ciclo
02
no condensados con otros ciclos
04
no sustituidos en el átomo de azufre del ciclo
26
con heteroátomos o con átomos de carbono que tienen tres enlaces a heteroátomos, con a lo más un enlace a halógeno, p. ej. radicales éster o nitrilo, unidos directamente a los átomos de carbono del ciclo
42
con radicales nitro o nitroso unidos directamente a los átomos de carbono del ciclo
C QUIMICA; METALURGIA
07
QUIMICA ORGANICA
D
COMPUESTOS HETEROCICLICOS
333
Compuestos heterocíclicos que contienen ciclos de cinco miembros que tienen un átomo de azufre como único heteroátomo del ciclo
02
no condensados con otros ciclos
46
sustituidos en el átomo de azufre del ciclo
C QUIMICA; METALURGIA
07
QUIMICA ORGANICA
D
COMPUESTOS HETEROCICLICOS
333
Compuestos heterocíclicos que contienen ciclos de cinco miembros que tienen un átomo de azufre como único heteroátomo del ciclo
50
condensados con ciclos o sistemas cíclicos carbocíclicos
76
Dibenzotiofenos
C QUIMICA; METALURGIA
07
QUIMICA ORGANICA
D
COMPUESTOS HETEROCICLICOS
335
Compuestos heterocíclicos que contienen ciclos de seis miembros que tienen un átomo de azufre como único heteroátomo del ciclo
02
no condensados con otros ciclos
C QUIMICA; METALURGIA
07
QUIMICA ORGANICA
D
COMPUESTOS HETEROCICLICOS
493
Compuestos heterocíclicos que contienen átomos de oxígeno como únicos heteroátomos del ciclo en el sistema condensado
02
en los que el sistema condensado contiene dos heterociclos
04
Sistemas orto-condensados
C QUIMICA; METALURGIA
07
QUIMICA ORGANICA
D
COMPUESTOS HETEROCICLICOS
493
Compuestos heterocíclicos que contienen átomos de oxígeno como únicos heteroátomos del ciclo en el sistema condensado
02
en los que el sistema condensado contiene dos heterociclos
08
Sistemas puenteados
C QUIMICA; METALURGIA
08
COMPUESTOS MACROMOLECULARES ORGANICOS; SU PREPARACION O PRODUCCION QUIMICA; COMPOSICIONES BASADAS EN COMPUESTOS MACROMOLECULARES
K
UTILIZACION DE SUSTANCIAS INORGANICAS U ORGANICAS NO MACROMOLECULARES COMO INGREDIENTES DE LA COMPOSICION
5
Utilización de ingredientes orgánicos
36
Compuestos que contienen azufre, selenio o teluro
41
Compuestos que contienen azufre enlazado al oxígeno
42
Acidos sulfónicos; Sus derivados
C QUIMICA; METALURGIA
08
COMPUESTOS MACROMOLECULARES ORGANICOS; SU PREPARACION O PRODUCCION QUIMICA; COMPOSICIONES BASADAS EN COMPUESTOS MACROMOLECULARES
L
COMPOSICIONES DE COMPUESTOS MACROMOLECULARES
101
Composiciones de compuestos macromoleculares no específicos
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
1
Originales para la producción por vía fotomecánica de superficies texturadas, por ejemplo, mascaras, foto-mascaras o reticulas; Máscara en blanco o películas para ello ; Contenedores especialmente adaptados a este efecto ; Su preparación.
68
Procesos de preparación no cubiertos por los grupos G03F1/20-G03F1/50159
82
Procesos auxiliares, p.ej. limpieza
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
004
Materiales fotosensibles
038
Compuestos macromoleculares que se vuelven insolubles o selectivamente mojables
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
004
Materiales fotosensibles
039
Compuestos macromoleculares fotodegradables, p. ej. reservas positivas sensibles a los electrones
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
20
Exposición; Aparellaje a este efecto
C QUIMICA; METALURGIA
09
COLORANTES; PINTURAS; PULIMENTOS; RESINAS NATURALES; ADHESIVOS; COMPOSICIONES NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR; APLICACIONES DE LOS MATERIALES NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
K
SUSTANCIAS PARA APLICACIONES NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR; APLICACIONES DE SUSTANCIAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
3
Sustancias no cubiertas en otro lugar
Solicitantes:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Personas inventoras:
土村 智孝 TSUCHIMURA Tomotaka; JP
八木 一成 YAGI Kazunari; JP
Mandataria/o:
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
Datos de prioridad:
2017-16086424.08.2017JP
Título (EN) ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN-FORMING METHOD, METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE, RESIST FILM-EQUIPPED MASK BLANK, PATTERN-FORMING METHOD FOR RESIST FILM-EQUIPPED MASK BLANK
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES OU AU RAYONNEMENT, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, DÉCOUPE DE MASQUE ÉQUIPÉE D'UN FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DESTINÉ À UNE DÉCOUPE DE MASQUE ÉQUIPÉE D'UN FILM DE RÉSERVE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、レジスト膜付きマスクブランクス、レジスト膜付きマスクブランクスのパターン形成方法
Resumen:
(EN) Provided are: an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that has excellent resolution, exposure latitude, and pattern shape properties; and a resist film, a pattern-forming method, a method for producing an electronic device, a resist film-equipped mask blank, and a pattern-forming method for a resist film-equipped mask blank, which use said actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. This actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprises: a compound that generates an acid represented by specific general formula (I) upon being irradiated with an actinic ray or radiation; and a resin.
(FR) L'invention concerne : une composition de résine sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement qui présente une excellente résolution, une excellente latitude d'exposition et des propriétés de forme de motif ; un film de réserve, un procédé de formation de motif, un procédé de fabrication d'un dispositif électronique, une découpe de masque équipée d'un film de réserve, et un procédé de formation de motif destiné à une découpe de masque équipée d'un film de réserve, qui utilisent ladite composition de résine sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement. Cette composition de résine sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement comporte : un composé qui génère un acide représenté par la formule générale spécifique (I) lorsqu'il est exposé à un rayon actinique ou à un rayonnement ; une résine.
(JA) 解像力、露光ラチチュード、および、パターン形状特性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、レジスト膜付きマスクブランクス、及び、レジスト膜付きマスクブランクスのパターン形成方法を提供する。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により特定の一般式(I)で表される酸を発生する化合物と、樹脂とを含有する。
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)