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1. (WO2019038953) LASER IMPINGEMENT DEVICE, LASER IMPINGEMENT METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
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Nº de publicación: WO/2019/038953 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/005457
Fecha de publicación: 28.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 16.02.2018
CIP:
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01) ,H01L 21/68 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
26
Bombardeo con radiación ondulatoria o de partículas
263
con radiaciones de alta energía
268
utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
20
Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
67
Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido
677
para el transporte, p. ej. entre diferentes estaciones de trabajo
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
67
Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido
68
para el posicionado, orientación o alineación
Solicitantes:
株式会社日本製鋼所 THE JAPAN STEEL WORKS, LTD. [JP/JP]; 東京都品川区大崎一丁目11番1号 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032, JP
Personas inventoras:
鈴木 祐輝 SUZUKI Yuki; JP
藤 貴洋 FUJI Takahiro; JP
三上 貴弘 MIKAMI Takahiro; JP
山口 芳広 YAMAGUCHI Yoshihiro; JP
清水 良 SHIMIZU Ryo; JP
Mandataria/o:
家入 健 IEIRI Takeshi; JP
Datos de prioridad:
2017-16211525.08.2017JP
Título (EN) LASER IMPINGEMENT DEVICE, LASER IMPINGEMENT METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF D'IMPACT LASER, PROCÉDÉ D'IMPACT LASER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
Resumen:
(EN) A laser impingement device (1) according to an embodiment of the present invention comprises a laser generator (14) for generating laser light and a flotation unit (10) for causing flotation of a processed object (16) on which laser light impinges. The flotation unit (10) comprises a first region and a second region. The first region and the second region are disposed in such a manner that, in a planar view, the laser light focal point overlaps with the first region and the laser light focal point does not overlap with the second region. The surface section of the second region is formed from a metallic member.
(FR) Un dispositif d'impact laser (1) selon un mode de réalisation de la présente invention comprend un générateur laser (14) pour générer une lumière laser et une unité de flottement (10) pour provoquer le flottement d'un objet traité (16) que la lumière laser heurte. L'unité de flottement (10) comprend une première région et une deuxième région. La première région et la seconde région sont disposées de telle sorte que, dans une vue en plan, le point focal de lumière laser chevauche la première région et que le point focal de lumière laser ne chevauche pas la seconde région. La section de surface de la seconde région est faite d'un élément métallique.
(JA) 一実施の形態にかかるレーザ照射装置(1)は、レーザ光を発生させるレーザ発生装置(14)と、レーザ光が照射される被処理体(16)を浮上させる浮上ユニット(10)と、を備えている。浮上ユニット(10)は、第1の領域と第2の領域とを備え、第1の領域および第2の領域は、平面視した際にレーザ光の焦点と第1の領域とが重畳し、レーザ光の焦点と第2の領域とが重畳しないように配置されている。第2の領域の表面部は、金属部材で形成されている。
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Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)