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1. (WO2019035431) SEALING RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING SEALING RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina InternacionalFormular observación

Nº de publicación: WO/2019/035431 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/030140
Fecha de publicación: 21.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 10.08.2018
CIP:
C08L 63/00 (2006.01) ,C08G 59/00 (2006.01) ,C08K 3/013 (2018.01) ,C08K 5/54 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01)
C QUIMICA; METALURGIA
08
COMPUESTOS MACROMOLECULARES ORGANICOS; SU PREPARACION O PRODUCCION QUIMICA; COMPOSICIONES BASADAS EN COMPUESTOS MACROMOLECULARES
L
COMPOSICIONES DE COMPUESTOS MACROMOLECULARES
63
Composiciones de resinas epoxi; Composiciones de los derivados de resinas epoxi
C QUIMICA; METALURGIA
08
COMPUESTOS MACROMOLECULARES ORGANICOS; SU PREPARACION O PRODUCCION QUIMICA; COMPOSICIONES BASADAS EN COMPUESTOS MACROMOLECULARES
G
COMPUESTOS MACROMOLECULARES OBTENIDOS POR REACCIONES DISTINTAS A AQUELLAS EN LAS QUE INTERVIENEN SOLAMENTE ENLACES INSATURADOS CARBONO - CARBONO
59
Policondensados que contienen varios grupos epoxi por molécula; Macromoléculas obtenidas por reacción de policondensados poliepoxi con compuestos monofuncionales de bajo peso molecular; Macromoléculas obtenidas por polimerización de compuestos que contienen más de un grupo epoxi por molécula utilizando agentes de endurecimiento o catalizadores que reaccionan con los grupos epoxi
[IPC code unknown for C08K 3/013]
C QUIMICA; METALURGIA
08
COMPUESTOS MACROMOLECULARES ORGANICOS; SU PREPARACION O PRODUCCION QUIMICA; COMPOSICIONES BASADAS EN COMPUESTOS MACROMOLECULARES
K
UTILIZACION DE SUSTANCIAS INORGANICAS U ORGANICAS NO MACROMOLECULARES COMO INGREDIENTES DE LA COMPOSICION
5
Utilización de ingredientes orgánicos
54
Compuestos que contienen silicio
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
50
Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo deH01L21/06-H01L21/326215
56
Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
28
Encapsulados, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos
29
caracterizados por el material
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
28
Encapsulados, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos
31
caracterizados por su disposición
Solicitantes:
日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606, JP
Personas inventoras:
水島 彩 MIZUSHIMA, Aya; JP
中田 貴広 NAKADA, Takahiro; JP
湧口 恵太 YUGUCHI, Keita; JP
Mandataria/o:
特許業務法人太陽国際特許事務所 TAIYO, NAKAJIMA & KATO; 東京都新宿区新宿4丁目3番17号 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Datos de prioridad:
2017-15644114.08.2017JP
2017-15644214.08.2017JP
2017-15644314.08.2017JP
Título (EN) SEALING RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING SEALING RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE POUR SCELLEMENT AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 封止用樹脂組成物、封止用樹脂組成物の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法
Resumen:
(EN) This sealing resin composition satisfies at least any of conditions (1)-(3) below: condition (1) an epoxy resin and an inorganic filler material are included, and the specific surface area of the inorganic filler material is not more than 3.28 m2/g; condition (2) an epoxy resin, an inorganic filler material, and a silane coupling agent including –NH2 or –SH are included; and condition (3) an epoxy resin and an inorganic filler material are included, and the crosslink density in a cured state is either 0.9 mol/cm3 or lower, or 1.0 mol/cm3 or higher.
(FR) L'invention concerne une composition de résine pour scellement qui satisfait au moins l'un des points (1) à (3) suivants. (1) Comprendre une résine époxy et un matériau de charge inorganique, la surface spécifique dudit matériau de charge inorganique étant inférieure ou égale à 3,28m/g. (2) Comprendre une résine époxy, un matériau de charge inorganique, et un agent adhésif au silane possédant -NH ou -SH. (3) Comprendre une résine époxy et un matériau de charge inorganique, la densité de réticulation à l'état durci étant inférieure ou égale à 0,9mol/cm et supérieure ou égale à 1,0mol/cm.
(JA) 下記(1)~(3)の少なくともいずれかを満たす、封止用樹脂組成物。 (1)エポキシ樹脂と、無機充填材とを含有し、前記無機充填材の比表面積が3.28m/g以下である。 (2)エポキシ樹脂と、無機充填材と、-NH又は-SHを有するシランカップリング剤とを含有する。 (3)エポキシ樹脂と、無機充填材とを含有し、硬化した状態での架橋密度が0.9mol/cm以下又は1.0mol/cm以上である。
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)