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1. (WO2019034505) CIRCUIT FOR ACTUATING A POWER SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
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Nº de publicación: WO/2019/034505 Nº de la solicitud internacional: PCT/EP2018/071579
Fecha de publicación: 21.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 09.08.2018
CIP:
H03K 17/082 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
K
TECNICA DE IMPULSO
17
Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos
08
Modificaciones para proteger el circuito de conmutación contra la sobreintensidad o sobretensión
082
por retroacción del circuito de salida hacia el circuito de control
Solicitantes:
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Personas inventoras:
FRIESE, Falko; DE
SINN, Peter; DE
Datos de prioridad:
10 2017 214 211.115.08.2017DE
Título (EN) CIRCUIT FOR ACTUATING A POWER SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
(FR) CIRCUIT D’ACTIVATION D’UN TRANSISTOR DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEUR
(DE) SCHALTUNG ZUR ANSTEUERUNG EINES LEISTUNGSHALBLEITERTRANSISTORS
Resumen:
(EN) A circuit (1) for actuating a power semiconductor transistor (2) having an actuation stage (3), which is configured to actuate the gate (4) of the power semiconductor transistor (2) using a control voltage (12) and, for this purpose, is connected to the gate (4) and the emitter (5) of the power semiconductor transistor (2), further having a protective circuit (6), which is likewise configured to actuate the gate (4) and, for this purpose, is connected to the gate (4) and the emitter (5), and also a current sensor (7) connected to the emitter (5) of the power semiconductor transistor (2) to determine a load current, wherein an output (8) of the current sensor (7) is made available to the protective circuit (6) and the protective circuit (6) is configured to decrease the control voltage at the gate (4) when a load current is greater than a threshold value current.
(FR) L’invention concerne un circuit (1) d’activation d’un transistor de puissance à semi-conducteur (2), présentant un étage d’activation (3) qui est conçu pour l’activation de la grille (4) du transistor de puissance à semi-conducteur (2) incluant une tension de commande (12) et qui est à cet effet raccordé à la grille (4) et à l’émetteur (5) du transistor de puissance à semi-conducteur (2), et présentant par ailleurs un circuit de protection (6) qui est également conçu pour l’activation de la grille (4) et qui est à cet effet raccordé à la grille (4) et à l’émetteur (5), ainsi qu’un capteur de courant (7) raccordé à l’émetteur (5) du transistor de puissance à semi-conducteur (2) et permettant de déterminer un courant de charge, une sortie (8) du capteur de courant (7) étant fournie au circuit de protection (6), et le circuit de protection (6) étant conçu pour abaisser la tension de commande au niveau de la grille (4) si un courant de charge dépasse une valeur seuil de courant.
(DE) Schaltung (1) zur Ansteuerung eines Leistungshalbleitertransistors (2) aufweisend eine Ansteuerungsstufe (3) welche zur Ansteuerung des Gates (4) des Leistungshalbleitertransistors (2) mit einer Steuerspannung (12) eingerichtet ist und dazu an das Gate (4) und den Emitter (5) des Leistungshalbleitertransistors (2) angeschlossen ist, weiter aufweisend eine Schutzschaltung (6), welche ebenfalls zur Ansteuerung des Gates (4) eingerichtet ist und dazu an das Gate (4) und den Emitter (5) angeschlossen ist, sowie ein an dem Emitter (5) des Leistungshalbleitertransistors (2) angeschlossener Stromsensor (7) zur Bestimmung eines Laststroms, wobei ein Ausgang (8) des Stromsensors (7) der Schutzschaltung (6) zur Verfügung gestellt ist und die Schutzschaltung (6) dazu eingerichtet ist, die Steuerspannung an dem Gate (4) abzusenken, wenn ein Laststrom größer ist als ein Schwellwertstrom.
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Idioma de publicación: Alemán (DE)
Idioma de la solicitud: Alemán (DE)