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1. (WO2019034504) METHOD FOR ACTUATING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR SWITCH, IN PARTICULAR IN A COMPONENT OF A MOTOR VEHICLE
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Nº de publicación: WO/2019/034504 Nº de la solicitud internacional: PCT/EP2018/071576
Fecha de publicación: 21.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 09.08.2018
CIP:
H03K 17/0812 (2006.01) ,H03K 17/16 (2006.01) ,H03K 17/18 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
K
TECNICA DE IMPULSO
17
Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos
08
Modificaciones para proteger el circuito de conmutación contra la sobreintensidad o sobretensión
081
sin retroacción del circuito de salida hacia el circuito de control
0812
por medidas tomadas en el circuito de control
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
K
TECNICA DE IMPULSO
17
Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos
16
Modificaciones para eliminar las tensiones o corrientes parásitas
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
K
TECNICA DE IMPULSO
17
Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos
18
Modificaciones para indicar el estado de un conmutador
Solicitantes:
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Personas inventoras:
BAUMHOEFER, Thorsten; DE
ROGOV, Rostislav; DE
Datos de prioridad:
10 2017 214 217.015.08.2017DE
Título (EN) METHOD FOR ACTUATING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR SWITCH, IN PARTICULAR IN A COMPONENT OF A MOTOR VEHICLE
(FR) PROCÉDÉ D’ACTIVATION D’AU MOINS UN COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR, EN PARTICULIER DANS UN COMPOSANT D’UN VÉHICULE AUTOMOBILE
(DE) VERFAHREN ZUM ANSTEUERN MINDESTENS EINES HALBLEITER-SCHALTERS, INSBESONDERE IN EINEM BAUTEIL EINES KRAFTFAHRZEUGS
Resumen:
(EN) The invention relates to a method for actuating at least one semiconductor switch, in particular in a component of a motor vehicle. The at least one semiconductor switch can be switched with a control voltage (1) according to the following method steps: a1) specifying the control voltage (1) in a tolerance range (2) and a2) monitoring whether a control voltage (1) actually being applied to the at least one semiconductor switch exceeds at least one threshold (4, 5), wherein at least the following method step is carried out at at least one control time: b1) ascertaining a difference between the control voltage (1) actually being applied to the at least one semiconductor switch and the at least one threshold, the control voltage (1) specified according to step a1) being manipulated according to the at least one control time using the result from step b1).
(FR) L’invention concerne un procédé d’activation d’au moins un commutateur à semi-conducteur, en particulier dans un composant d’un véhicule automobile, selon lequel le ou les commutateurs à semi-conducteur peuvent être commutés par une tension de commande (1) selon les étapes suivantes : a1) spécification de la tension de commande (1) dans une plage de tolérance (2), a2) surveillance permettant de savoir si une tension de commande (1) effectivement présente au niveau du ou des commutateurs à semi-conducteur dépasse au moins une valeur limite (4, 5), au moins l'étape suivante étant mise en œuvre à au moins un instant de contrôle : b1) détermination d’une différence entre la tension de commande (1) effectivement présente au niveau du ou des commutateurs à semi-conducteur et la ou les valeurs limites, la tension de commande (1) spécifiée à l’étape a1) étant modifiée après le ou les instants de contrôle en utilisant le résultat de l’étape b1).
(DE) Verfahren zum Ansteuern mindestens eines Halbleiter-Schalters insbesondere in einem Bauteil eines Kraftfahrzeugs, wobei der mindestens eine Halbleiter-Schalter mit einer Steuerungsspannung (1) gemäß der folgenden Verfahrensschritte geschaltet werden kann: a1) Vorgeben der Steuerungsspannung (1) in einem Toleranzbereich (2), a2) Überwachen, ob eine tatsächlich an dem mindestens einen Halbleiter-Schalter anliegende Steuerungsspannung (1) mindestens einen Grenzwert (4,5) überschreitet, wobei an mindestens einem Kontrollzeitpunkt zumindest der folgende Verfahrensschritt durchgeführt wird: b1) Ermitteln einer Differenz zwischen der tatsächlich an dem mindestens einen Halbleiter-Schalter anliegenden Steuerungsspannung (1) und dem mindestens einen Grenzwert, wobei die gemäß Schritt al) vorgegebene Steuerungsspannung (1) nach dem mindestens einen Kontrollzeitpunkt unter Verwendung des Ergebnisses von Schritt b1) manipuliert wird.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Alemán (DE)
Idioma de la solicitud: Alemán (DE)