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1. (WO2019032099) STRESS-IMPAIRED SIGNAL CORRECTION CIRCUIT
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Nº de publicación: WO/2019/032099 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2017/045974
Fecha de publicación: 14.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 08.08.2017
CIP:
G05F 3/30 (2006.01) ,G01R 33/06 (2006.01) ,G05F 1/10 (2006.01) ,G05F 3/08 (2006.01) ,G05F 3/16 (2006.01)
G FISICA
05
CONTROL; REGULACION
F
SISTEMAS DE REGULACION DE VARIABLES ELECTRICAS O MAGNETICAS
3
Sistemas no retroactivos para la regulación de variables eléctricas por utilización de un elemento no controlado, o de una combinación de elementos no controlados, siendo dicho elemento o dicha combinación aptos para ejercer por sí mismos una regulación
02
Regulación de la tensión o de la corriente
08
en donde la tensión o la corriente son continuas
10
que utilizan dispositivos no controlados con características no lineales
16
que consisten en dispositivos semiconductores
20
utilizando combinaciones diodo-transistor
30
Reguladores que utilizan la diferencia entre las tensiones base-emisor de dos transistores bipolares que funcionan con densidades de corriente diferentes
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
R
MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS
33
Dispositivos o aparatos para la medida de valores magnéticos
02
Medida de la dirección o de la intensidad de campos magnéticos o de flujos magnéticos
06
utilizando dispositivos galvanomagnéticos
G FISICA
05
CONTROL; REGULACION
F
SISTEMAS DE REGULACION DE VARIABLES ELECTRICAS O MAGNETICAS
1
Sistemas automáticos en los que las desviaciones de una magnitud eléctrica en relación a uno o a varios valores predeterminados son detectadas a la salida y reintroducidas en un dispositivo interior al sistema para llevar el valor detectado a su valor o a sus valores predeterminados, es decir, sistemas retroactivos
10
Regulación de la tensión o de la intensidad
G FISICA
05
CONTROL; REGULACION
F
SISTEMAS DE REGULACION DE VARIABLES ELECTRICAS O MAGNETICAS
3
Sistemas no retroactivos para la regulación de variables eléctricas por utilización de un elemento no controlado, o de una combinación de elementos no controlados, siendo dicho elemento o dicha combinación aptos para ejercer por sí mismos una regulación
02
Regulación de la tensión o de la corriente
08
en donde la tensión o la corriente son continuas
G FISICA
05
CONTROL; REGULACION
F
SISTEMAS DE REGULACION DE VARIABLES ELECTRICAS O MAGNETICAS
3
Sistemas no retroactivos para la regulación de variables eléctricas por utilización de un elemento no controlado, o de una combinación de elementos no controlados, siendo dicho elemento o dicha combinación aptos para ejercer por sí mismos una regulación
02
Regulación de la tensión o de la corriente
08
en donde la tensión o la corriente son continuas
10
que utilizan dispositivos no controlados con características no lineales
16
que consisten en dispositivos semiconductores
Solicitantes:
LINEAR TECHNOLOGY HOLDING LLC [US/US]; One Technology Way Norwood, Massachusetts 02062, US
Personas inventoras:
LAZAROV, Kalin V.; US
CHIACCHIA, Robert C.; US
Mandataria/o:
ARORA, Suneel; US
Datos de prioridad:
15/671,08007.08.2017US
Título (EN) STRESS-IMPAIRED SIGNAL CORRECTION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE CORRECTION DE SIGNAL DÉGRADÉ PAR UNE CONTRAINTE
Resumen:
(EN) In a system and method for correcting a stress-impaired signal in a circuit, a calibration circuit produces a first calibrated voltage based on a base-emitter voltage of one or more pnp transistors, a second calibrated voltage based on a base-emitter voltage of one or more npn transistors, and a voltage proportional to absolute temperature. A set of reference values are generated based on these voltages. A gain correction factor is calculated based on a function of the set of reference values and a set of temperature-dependent values, and the stress-impaired signal is corrected based on the gain correction factor.
(FR) L'invention concerne un système et un procédé de correction d'un signal dégradé par une contrainte dans un circuit, dans lesquels un circuit d'étalonnage produit une première tension étalonnée sur la base d'une tension base-émetteur d'un ou plusieurs transistors PNP, une seconde tension étalonnée sur la base d'une tension base-émetteur d'un ou plusieurs transistors NPN, et une tension proportionnelle à la température absolue. Un ensemble de valeurs de référence sont générées sur la base de ces tensions. Un facteur de correction de gain est calculé sur la base d'une fonction de l'ensemble de valeurs de référence et d'un ensemble de valeurs dépendant de la température, et le signal dégradé par une contrainte est corrigé sur la base du facteur de correction de gain.
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Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)