Parte del contenido de esta aplicación no está disponible en este momento.
Si esta situación persiste, contáctenos aComentarios y contacto
1. (WO2019031250) RADIATION SENSITIVE COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina InternacionalFormular observación

Nº de publicación: WO/2019/031250 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/027972
Fecha de publicación: 14.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 25.07.2018
CIP:
G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
004
Materiales fotosensibles
038
Compuestos macromoleculares que se vuelven insolubles o selectivamente mojables
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
004
Materiales fotosensibles
04
Cromatos
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
20
Exposición; Aparellaje a este efecto
Solicitantes:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
Personas inventoras:
中川 恭志 NAKAGAWA Hisashi; JP
浅野 裕介 ASANO Yusuke; JP
峯岸 信也 MINEGISHI Shinya; JP
Mandataria/o:
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
Datos de prioridad:
2017-15612610.08.2017JP
Título (EN) RADIATION SENSITIVE COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD
(FR) COMPOSITION SENSIBLE AU RAYONNEMENT, ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE
(JA) 感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法
Resumen:
(EN) The purpose of the present invention is to provide: a radiation sensitive composition which has excellent sensitivity and resolution; and a resist pattern forming method. The present invention is a radiation sensitive composition which contains a polymetalloxane that has a structural unit represented by formula (1), a radiation sensitive acid generator, and a solvent. In formula (1), M represents a germanium atom, a tin atom or a lead atom; Ar1 represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6-20 ring members or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5-20 ring members; R1 represents a monovalent organic group having 1-20 carbon atoms, a hydrogen atom, a halogen atom or a hydroxy group; and n represents 2 or 3.
(FR) L'invention a pour objet de fournir une composition sensible au rayonnement excellente en termes de sensibilité et de résolution, et un procédé de formation de motif de réserve. Plus précisément, l'invention concerne une composition sensible au rayonnement qui comprend un polymétalloxane présentant une unité structurale représentée par la formule (1), un corps générant un acide sensible au rayonnement, et un solvant. Dans la formule (1), M représente un atome de germanium, un atome d'étain ou un atome de plomb. Ar représente un groupe aryle de 6 à 20 chaînons substitué ou non substitué, ou un groupe hétéroaryle de 5 à 20 chaînons substitué ou non substitué. R représente un groupe organique monovalent de 1 à 20 atomes de carbone, un atome d'hydrogène, un atome d'hlogène et un groupe hydroxy. n représente 2 ou 3.
(JA) 感度及び解像性に優れる感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法の提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される構造単位を有するポリメタロキサンと、感放射線性酸発生体と、溶媒とを含有する感放射線性組成物である。下記式(1)中、Mは、ゲルマニウム原子、スズ原子又は鉛原子である。Arは、置換若しくは非置換の環員数6~20のアリール基又は置換若しくは非置換の環員数5~20のヘテロアリール基である。Rは、炭素数1~20の1価の有機基、水素原子、ハロゲン原子又はヒドロキシ基である。nは、2又は3である。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)