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1. (WO2019031126) METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL INGOT AND PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL INGOT
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina InternacionalFormular observación

Nº de publicación: WO/2019/031126 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/025627
Fecha de publicación: 14.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 06.07.2018
CIP:
C30B 29/22 (2006.01) ,C30B 11/00 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/41 (2013.01)
C QUIMICA; METALURGIA
30
CRECIMIENTO DE CRISTALES
B
CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES; SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA; PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; APARATOS PARA ESTOS EFECTOS
29
Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma
10
Compuestos inorgánicos o composiciones inorgánicas
16
Oxidos
22
Oxidos complejos
C QUIMICA; METALURGIA
30
CRECIMIENTO DE CRISTALES
B
CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES; SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA; PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; APARATOS PARA ESTOS EFECTOS
11
Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
16
Selección de materiales
18
para los elementos piezoeléctricos o electroestrictivos
187
Composiciones cerámicas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
22
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la montaje, fabricación o tratamiento de estos elementos o de sus partes constitutivas
35
Formación de materiales piezoeléctricos o electroestrictivos
39
Materiales inorgánicos
41
por fusión
Solicitantes:
JFEミネラル株式会社 JFE MINERAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 東京都港区芝三丁目8番2号 8-2, Shiba 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050014, JP
Personas inventoras:
中村 啓一郎 NAKAMURA Keiichiro; JP
越前谷 一彦 ECHIZENYA Kazuhiko; JP
Mandataria/o:
落合 憲一郎 OCHIAI Kenichiro; JP
Datos de prioridad:
2017-15387809.08.2017JP
Título (EN) METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL INGOT AND PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL INGOT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN LINGOT MONOCRISTALLIN PIÉZOÉLECTRIQUE ET LINGOT MONOCRISTALLIN PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電単結晶インゴットの製造方法および圧電単結晶インゴット
Resumen:
(EN) Provided is a method for producing a piezoelectric single crystal ingot which shows small variation in the concentration of PbTiO3 in the growth direction of single crystal. A complete solid solution-type piezoelectric single crystal ingot is produced by using the Bridgman method, said method comprising: filling a starting material, wherein a relaxor having a compositional formula Pb(B1,B2)O3 is blended with lead titanate having a composition PbTiO3 in such a manner as to give a preset composition, into a crucible for growth; heating the material to the melting temperature thereof or higher to give a melted liquid layer; then moving the crucible for growth toward the low temperature side; and thus starting one-direction solidification from the lower part of the crucible to thereby produce a single crystal. In the course of the one-direction solidification, the starting material containing the relaxor having a maximum grain size of 3 mm or less and lead titanate is continuously supplied into the crucible for growth. Thus, a piezoelectric single crystal ingot, wherein the PbTiO3 concentration remains almost constant and the variation in the PbTiO3 concentration falls within a range of ±0.5 mol% over a length of 100 mm or longer in the direction of crystal growth, can be easily produced and, from the piezoelectric single crystal ingot, a piezoelectric element having excellent piezoelectric characteristics can be manufactured at a high yield.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un lingot monocristallin piézoélectrique qui présente une faible variation de la concentration de PbTiO3 dans la direction de croissance d'un monocristal. Un lingot monocristallin piézoélectrique complet de type solution solide est produit en utilisant la méthode de Bridgman, ladite méthode comprenant : le remplissage d'une matière première, un relaxeur qui a une formule compositionnelle Pb(B1,B2)O3 étant mélangé avec du titanate de plomb ayant une composition PbTiO3 de manière à donner une composition prédéfinie, dans un creuset pour la croissance ; le chauffage du matériau à sa température de fusion ou plus pour donner une couche de liquide fondu ; puis le déplacement du creuset pour la croissance vers le côté basse température ; et ainsi le démarrage d'une solidification unidirectionnelle à partir de la partie inférieure du creuset pour ainsi produire un monocristal. Au cours de la solidification unidirectionnelle, la matière première contenant le relaxeur ayant une taille de grain maximale de 3 mm ou moins et du titanate de plomb est introduite en continu dans le creuset pour la croissance. Ainsi, un lingot monocristallin piézoélectrique, dans lequel la concentration de PbTiO3 reste presque constante et la variation de la concentration en PbTiO3 se situe dans une plage de ± 0,5 % en moles sur une longueur de 100 mm ou plus dans la direction de croissance cristalline, peut être facilement produit et, à partir du lingot monocristallin piézoélectrique, un élément piézoélectrique ayant d'excellentes caractéristiques piézoélectriques peut être fabriqué à un rendement élevé.
(JA) 単結晶成長方向にPbTiO3の濃度の変動の幅が狭い、圧電単結晶インゴットの製造方法を提供する。 所定の組成となるように、Pb(B1,B2)O3の組成式をもつリラクサーと、PbTiO3の組成をもつチタン酸鉛とを、配合した原料を、育成坩堝に充填し、融点以上に加熱して、融液層としたのちに、低温方向に育成坩堝を移動させて、坩堝の下部から一方向凝固を開始させ、単結晶を製造するブリッジマン法を用いて、全率固溶型圧電単結晶インゴットを製造する。一方向凝固させる途中に、育成坩堝中に、最大粒径が3mm以下のリラクサーおよびチタン酸鉛を含む原料を、連続的に供給する。これにより、PbTiO3の濃度がほぼ一定で、かつPbTiO3の濃度の変動幅が、結晶成長方向に100mm以上の長さに亘って±0.5mol%以下となり、優れた圧電特性を有する圧電素子を歩留り高く作製できる圧電単結晶インゴットを容易に製造できる。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)