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1. (WO2019031105) OXIDE SINTERED COMPACT AND SPUTTERING TARGET
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina InternacionalFormular observación

Nº de publicación: WO/2019/031105 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/025106
Fecha de publicación: 14.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 02.07.2018
CIP:
C23C 14/34 (2006.01) ,C04B 35/01 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,H01B 1/08 (2006.01) ,H01B 5/14 (2006.01) ,H01B 13/00 (2006.01)
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
14
Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento
22
caracterizado por el proceso de revestimiento
34
Pulverización catódica
C QUIMICA; METALURGIA
04
CEMENTOS; HORMIGON; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS; REFRACTARIOS
B
LIMA; MAGNESIA; ESCORIAS; CEMENTOS; SUS COMPOSICIONES, p. ej. MORTEROS, HORMIGON O MATERIALES DE CONSTRUCCION SIMILARES; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS; REFRACTARIOS; TRATAMIENTO DE LA PIEDRA NATURAL
35
Productos cerámicos modelados, caracterizados por su composición; Composiciones cerámicas; Tratamiento de polvos de compuestos inorgánicos previamente a la fabricación de productos cerámicos
01
a base de óxidos.
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
14
Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento
06
caracterizado por el material de revestimiento
08
Oxidos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
B
CABLES; CONDUCTORES; AISLADORES; ,o EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES CONDUCTORAS, AISLANTES O DIELECTRICAS
1
Conductores o cuerpos conductores caracterizados por los materiales conductores utilizados; Empleo de materiales específicos como conductores
06
compuestos principalmente de otras sustancias no metálicas
08
óxidos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
B
CABLES; CONDUCTORES; AISLADORES; ,o EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES CONDUCTORAS, AISLANTES O DIELECTRICAS
5
Conductores o cuerpos conductores no aislados caracterizados por su forma
14
que comprenden capas o películas conductoras sobre soportes aislantes
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
B
CABLES; CONDUCTORES; AISLADORES; ,o EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES CONDUCTORAS, AISLANTES O DIELECTRICAS
13
Aparatos o procedimientos especialmente adaptados para la fabricación de conductores o cables
Solicitantes:
三井金属鉱業株式会社 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都品川区大崎一丁目11番1号 1-11-1, Osaki, Shinagawa-ku, Tokyo 1418584, JP
Personas inventoras:
松元 謙士 MATSUMOTO, Kenshi; JP
井上 雅樹 INOUE, Masaki; JP
中村 信一郎 NAKAMURA, Shinichiro; JP
矢野 智泰 YANO, Tomoyasu; JP
Mandataria/o:
特許業務法人SSINPAT SSINPAT PATENT FIRM; 東京都品川区西五反田七丁目13番6号 五反田山崎ビル6階 Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031, JP
Datos de prioridad:
2017-15304308.08.2017JP
Título (EN) OXIDE SINTERED COMPACT AND SPUTTERING TARGET
(FR) COMPACT FRITTÉ D’OXYDE ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
Resumen:
(EN) The present invention relates to an oxide sintered compact, the component elements of which are In, Sn, Ti and O, the In content being 88.0-98.2 mass% calculated as In2O3, Sn content being 1.0-8.0 mass% calculated as SnO2 and Ti content being 0.8-4.0 mass% calculated as TiO2. With this oxide sintered contact, it is possible to obtain a sputtering target, which can form a thin film from which a transparent electrically conductive film of high transparency can be obtained and from which a transparent electrically conductive film that also has low resistance can be obtained without performing heat treatment at high temperature.
(FR) La présente invention concerne un comprimé fritté d’oxyde, dont les éléments constitutifs sont In, Sn, Ti et O, la teneur en In étant de 88,0 à 98,2 % en masse calculée en In2O3, la teneur en Sn étant de 1,0 à 8,0 % en masse calculée en SnO2 et la teneur en Ti étant de 0,8 à 4,0 % en masse calculée en TiO2. Avec ce compact fritté d’oxyde, il est possible d’obtenir une cible de pulvérisation cathodique, qui peut former un film mince à partir duquel un film électriquement conducteur transparent de transparence élevée peut être obtenu et à partir duquel un film électriquement conducteur transparent qui a également une faible résistance peut être obtenu sans effectuer un traitement thermique à haute température.
(JA) 本発明は、構成元素がIn、Sn、TiおよびOであり、Inの含有比率がIn23換算で88.0~98.2質量%であり、Snの含有比率がSnO2換算で1.0~8.0質量%であり、Tiの含有比率がTiO2換算で0.8~4.0質量%である酸化物焼結体である。本発明の酸化物焼結体により、透明性が高い透明導電膜、また、さらに抵抗が低い透明導電膜を、高温の熱処理をしなくても得ることができる薄膜を成膜できるスパッタリングターゲットを得ることができる。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)