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1. (WO2019031029) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT PRODUCTION METHOD
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Nº de publicación: WO/2019/031029 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/020598
Fecha de publicación: 14.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 29.05.2018
CIP:
H01L 31/18 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 16/50 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
18
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
16
Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor
44
caracterizado por el proceso de revestimiento
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
16
Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor
44
caracterizado por el proceso de revestimiento
50
por medio de descargas eléctricas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
20
Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial
205
utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
31
para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas; Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
67
Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido
683
para sostener o sujetar
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
04
adaptados como dispositivos de conversión
06
caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie
072
siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a heterounión
0745
comprendiendo una heterounión AIVBIV, p.ej. células solares Si/Ge, SiGe/Si o Si/SiC
0747
comprendiendo una heterounión de materiales cristalinos y amorfos, p.ej. heterounión con capa fina intrínseca o células solares HIT
Solicitantes:
株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中之島2-3-18 2-3-18, Nakanoshima, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
Personas inventoras:
福田 将典 FUKUDA, Masanori; JP
波内 俊文 NAMIUCHI, Toshifumi; JP
松田 高洋 MATSUDA, Takahiro; JP
Mandataria/o:
特許業務法人はるか国際特許事務所 HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS; 東京都千代田区六番町3 六番町SKビル5階 Rokubancho SK Bldg. 5th Floor, 3, Rokubancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020085, JP
Datos de prioridad:
2017-15443409.08.2017JP
2017-15443509.08.2017JP
2017-15443609.08.2017JP
Título (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子の製造方法
Resumen:
(EN) The present invention provides a production method for a photoelectric conversion element having a first and second main surface and including a first thin film formed on the first main surface side of the semiconductor substrate and a second thin film formed on the second main surface side of the semiconductor substrate, the method comprising a first disposition step of disposing, at a first film-forming position (81) in a first film-forming room (61), a first semiconductor substrate whereon no first thin film and no second thin film have been formed, a second disposition step of disposing, at a second film-forming position (82) in the first film-forming room (61), a second semiconductor substrate having at least a first thin film formed on the first main surface side and no second thin film formed on the second main surface side, and a first film-forming step of forming, in the first film-forming room (61) and within the same time period, the first thin film on the first main surface side of the first semiconductor substrate and the second thin film on the second main surface side of the second semiconductor substrate.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un élément de conversion photoélectrique possédant une première et une seconde surface principale et comprenant un premier film mince formé du côté première surface principale du substrat semi-conducteur et un second film mince formé du côté seconde surface principale du substrat semi-conducteur, le procédé comprenant une première étape de disposition consistant à disposer, au niveau d'une première position (81) de formation de film dans une première salle (61) de formation de film, un premier substrat semi-conducteur sur lequel aucun premier film mince et aucun second film mince n'ont été formés, une seconde étape de disposition consistant à disposer, au niveau d'une seconde position (82) de formation de film dans la première salle (61) de formation de film, un second substrat semi-conducteur possédant au moins un premier film mince formé du côté première surface principale et aucun second film mince formé du côté seconde surface principale, et une première étape de formation de film consistant à former, dans la première salle (61) de formation de film et dans la même période, le premier film mince du côté première surface principale du premier substrat semi-conducteur et le second film mince du côté seconde surface principale du second substrat semi-conducteur.
(JA) 本開示の光電変換素子の製造方法は、第1、第2の主面を有し、半導体基板の第1の主面側に形成された第1の薄膜と、半導体基板の前記第2の主面側に形成された第2の薄膜と、を含む光電変換素子の製造方法であって、第1の薄膜及び第2の薄膜が形成されていない第1の半導体基板を、第1の製膜室(61)における第1の製膜位置(81)に配置する第1の配置ステップと、第1の主面側には少なくとも第1の薄膜が形成され、第2の主面側には第2の薄膜が形成されていない第2の半導体基板を、第1の製膜室(61)における第2の製膜位置(82)に配置する第2の配置ステップと、第1の製膜室(61)において、第1の半導体基板の第1の主面側には第1の薄膜を、第2の半導体基板の第2の主面側には第2の薄膜を、同一期間内に形成する第1の製膜ステップと、を含む。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)