Parte del contenido de esta aplicación no está disponible en este momento.
Si esta situación persiste, contáctenos aComentarios y contacto
1. (WO2019030400) DEVICE AND METHOD FOR APPLYING PRESSURE TO STRESS-PRODUCING LAYERS FOR IMPROVED GUIDANCE OF A SEPARATION CRACK
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2019/030400 Nº de la solicitud internacional: PCT/EP2018/071814
Fecha de publicación: 14.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 10.08.2018
CIP:
B23K 26/00 (2014.01) ,B23K 26/53 (2014.01) ,B23K 26/0622 (2014.01) ,B28D 5/00 (2006.01) ,B23K 26/70 (2014.01) ,B23K 26/14 (2014.01) ,B23K 26/146 (2014.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/78 (2006.01) ,B23K 103/00 (2006.01)
B TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES
23
MAQUINAS-HERRAMIENTAS; TRABAJO DE METALES NO PREVISTO EN OTRO LUGAR
K
SOLDADURA SIN FUSION O DESOLDEO; SOLDADURA; REVESTIMIENTO O CHAPADO POR SOLDADURA O SOLDADURA SIN FUSION; CORTE POR CALENTAMIENTO LOCALIZADO, p. ej. CORTE CON SOPLETE; TRABAJO POR RAYOS LASER
26
Trabajo por rayos láser, p. ej. soldadura, corte, taladrado
[IPC code unknown for B23K 26/53][IPC code unknown for B23K 26/0622]
B TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES
28
TRABAJO DEL CEMENTO, DE LA ARCILLA O LA PIEDRA
D
TRABAJO DE LA PIEDRA O DE MATERIALES SIMILARES A LA PIEDRA
5
Trabajo mecánico de las piedras finas, piedras preciosas, cristales, p. ej. de materiales para semiconductores; Aparatos o dispositivos a este efecto
[IPC code unknown for B23K 26/70]
B TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES
23
MAQUINAS-HERRAMIENTAS; TRABAJO DE METALES NO PREVISTO EN OTRO LUGAR
K
SOLDADURA SIN FUSION O DESOLDEO; SOLDADURA; REVESTIMIENTO O CHAPADO POR SOLDADURA O SOLDADURA SIN FUSION; CORTE POR CALENTAMIENTO LOCALIZADO, p. ej. CORTE CON SOPLETE; TRABAJO POR RAYOS LASER
26
Trabajo por rayos láser, p. ej. soldadura, corte, taladrado
14
con una corriente asociada al haz de rayos, p. ej. un chorro de gas
[IPC code unknown for B23K 26/146]
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
302
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
304
Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
70
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos
77
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común
78
con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales
B TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES
23
MAQUINAS-HERRAMIENTAS; TRABAJO DE METALES NO PREVISTO EN OTRO LUGAR
K
SOLDADURA SIN FUSION O DESOLDEO; SOLDADURA; REVESTIMIENTO O CHAPADO POR SOLDADURA O SOLDADURA SIN FUSION; CORTE POR CALENTAMIENTO LOCALIZADO, p. ej. CORTE CON SOPLETE; TRABAJO POR RAYOS LASER
103
Materiales a soldar sin fusión, a soldar o a cortar
Solicitantes:
SILTECTRA GMBH [DE/DE]; Manfred-von-Ardenne-Ring 7 01099 Dresden, DE
Personas inventoras:
SWOBODA, Marko; DE
RIESKE, Ralf; DE
BEYER, Christian; DE
RICHTER, Jan; DE
Mandataria/o:
ASCHERL, Andreas; DE
CABRERIZO, Dominik; DE
ETTMAYR, Andreas; DE
OHMER, Benjamin; DE
Datos de prioridad:
10 2017 007 585.911.08.2017DE
Título (EN) DEVICE AND METHOD FOR APPLYING PRESSURE TO STRESS-PRODUCING LAYERS FOR IMPROVED GUIDANCE OF A SEPARATION CRACK
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ POUR SOLLICITER DES COUCHES DE GÉNÉRATION DE TENSION AVEC UNE PRESSION EN VUE D’UN GUIDAGE AMÉLIORÉ D’UNE FISSURE DE SÉPARATION
(DE) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BEAUFSCHLAGEN VON SPANNUNGSERZEUGUNGSSCHICHTEN MIT DRUCK ZUM VERBESSERTEN FÜHREN EINES ABTRENNRISSES
Resumen:
(EN) The present invention relates to a method, according to claim 1, for separating at least one solid body layer (1), particularly a solid body disk, from a donor substrate (2). The method according to the invention comprises preferably at least the following steps: providing a donor substrate (2); producing or arranging a stress-producing layer (4) on a particularly flat surface (5) of the donor substrate (2) which axially defines the donor substrate (2); pressing at least one pressure application element (6) of a pressure application device (8) onto at least one pre-determined portion of the stress-producing layer (4), in order to press the stress-producing layer (4) onto the surface (5); separating the solid body layer (1) from the donor substrate (2) by thermally applying the stress-producing layer (4), thereby producing mechanical stress in the donor substrate (2), the mechanical stress creating a crack for separating a solid body layer (1), and the pressure application element (6) being pressed onto the stress-producing layer (4) during the thermal application of the stress-producing layer (4).
(FR) La présente invention concerne un procédé, selon la revendication 1, de séparation d’au moins une couche de solide (1), notamment un disque de solide, d’un substrat donneur (2). Le procédé selon l’invention comprend ici de préférence au moins les étapes suivantes : fourniture d’un substrat donneur (2), génération ou disposition d’une couche de génération de tension (4) au niveau d’une surface (5), notamment plane, du substrat donneur (2) qui délimite le substrat donneur (2) dans le sens axial, pressage d’au moins un élément d’application de pression (6) d’un dispositif d’application de pression (8) au niveau d’au moins une part prédéfinie de la couche de génération de tension (4) en vue de presser la couche de génération de tension (4) contre la surface (5), séparation de la couche de solide (1) du substrat donneur (2) par sollicitation thermique de la couche de génération de tension (4), ce qui produit des tensions mécaniques dans le substrat donneur (2). Une fissure destinée à séparer une couche de solide (1) est produite par les tensions mécaniques et l’élément d’application de pression (6) est pressé contre la couche de génération de tension (4) pendant la sollicitation thermique de la couche de génération de tension (4).
(DE) Die vorliegende Erfindung bezieht sich gemäß Anspruch 1 auf ein Verfahren zum Abtrennen von mindestens einer Festkörperlage (1), insbesondere einer Festkörperscheibe, von einem Spendersubstrat (2). Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst dabei bevorzugt mindestens die Schritte: Bereitstellen eines Spendersubstrats (2), Erzeugen oder Anordnen einer Spannungserzeugungsschicht (4) an einer das Spendersubstrat (2) axial begrenzenden, insbesondere ebenen, Oberfläche (5) des Spendersubstrats (2), Anpressen von mindestens einem Druckbeaufschlagungselement (6) einer Druckbeaufschlagungseinrichtung (8) an zumindest einen vorbestimmten Anteil der Spannungserzeugungsschicht (4) zum Anpressen der Spannungserzeugungsschicht (4) an die Oberfläche (5), Abtrennen der Festkörperlage (1) von dem Spendersubstrat (2) durch thermisches Beaufschlagen der Spannungserzeugungsschicht (4), wodurch mechanische Spannungen in dem Spendersubstrat (2) erzeugt werden, wobei durch die mechanischen Spannungen ein Riss zum Abtrennen einer Festkörperlage (1) entsteht, wobei das Druckbeaufschlagungselement (6) während der thermischen Beaufschlagung der Spannungserzeugungsschicht (4) an die Spannungserzeugungsschicht (4) angepresst wird.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Alemán (DE)
Idioma de la solicitud: Alemán (DE)