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1. (WO2019029237) WAFER BONDING METHOD AND STRUCTURE THEREOF
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Nº de publicación: WO/2019/029237 Nº de la solicitud internacional: PCT/CN2018/088954
Fecha de publicación: 14.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 30.05.2018
CIP:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/50 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
50
Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo deH01L21/06-H01L21/326215
Solicitantes:
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Room 7018, No.18, Huaguang Road, Guandong Science and Technology Industrial Park East Lake High-Tech Development Zone Wuhan, Hubei 430074, CN
Personas inventoras:
GUO, Shuai; CN
WANG, Jiawen; CN
DING, Taotao; CN
XING, Ruiyuan; CN
WANG, Xiaojin; CN
WANG, Jiayou; CN
LI, Chunlong; CN
Mandataria/o:
NTD UNIVATION INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD.; 10th Floor, Tower C, Beijing Global Trade Center 36 North Third Ring Road East, Dongcheng District Beijing 100013, CN
Datos de prioridad:
201710681131.410.08.2017CN
Título (EN) WAFER BONDING METHOD AND STRUCTURE THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE LIAISON DE TRANCHE ET STRUCTURE ASSOCIÉE
Resumen:
(EN) Embodiments of wafer bonding method and structures thereof are disclosed. The wafer bonding method can include performing a plasma activation treatment on a front surface of a first and a front surface of a second wafer; performing a silica sol treatment on the front surfaces of the first and the second wafers; performing a preliminary bonding process of the first and second wafer; and performing a heat treatment of the first and the second wafers to bond the front surface of the first wafer to the front surface of the second wafers.
(FR) L'invention concerne des modes de réalisation d'un procédé de liaison de tranches et des structures de celles-ci. Le procédé de liaison de tranche peut comprendre la réalisation d'un traitement d'activation de plasma sur une surface avant d'une première et d'une surface avant d'une seconde tranche; la réalisation d'un traitement de sol de silice sur les surfaces avant des première et seconde tranches; la réalisation d'un processus de liaison préliminaire de la première et de la seconde tranche; et la réalisation d'un traitement thermique des première et seconde tranches pour lier la surface avant de la première tranche à la surface avant des secondes tranches.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)