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1. (WO2019029171) SACRIFICIAL LAYER STRUCTURE, METHOD FOR PEELING OFF MATERIAL LAYER AND METHOD FOR FABRICATING MIRROR SURFACE OF LIGHT EMITTING DIODE
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权利要求书

[权利要求 1] 一种用于剥离材料层的牺牲层结构,包括:

基材,其上表面划分为第一区域和第二区域;

牺牲层,形成于所述基材上表面的第一区域;

其特征在于:所述牺牲层呈上宽下窄状,其厚度大于待剥离的材料层 的厚度。

[权利要求 2] 根据权利要求 1所述的牺牲层结构,其特征在于:所述牺牲层依次包 括第一牺牲层和第二牺牲层,其结构呈现第二牺牲层长度大于第一牺 牲层,且第一牺牲层的蚀刻速率大于第二牺牲层的蚀刻速率。

[权利要求 3] 根据权利要求 2所述的牺牲层结构,其特征在于:所述第一牺牲层的 厚度大于所述待剥离的材料层的厚度。

[权利要求 4] 一种剥离材料层的方法,包括步骤:

( 1) 提供基材,其上表面划分为第一区域和第二区域;

(2) 在所述基材上表面的第一区域形成牺牲层,所述牺牲层呈上宽 下窄状;

(3) 在所述基材的上表面沉积待剥离的材料层,由于所述牺牲层呈 上宽下窄状,使得所述材料层覆盖在所述牺牲层的部分与覆盖在所述 基材上表面的第二区域的部分断幵;

(4) 去除所述牺牲层,从而将位于所述牺牲层表面上的材料层剥离

[权利要求 5] 根据权利要求 4所述的一种剥离材料层的方法,其特征在于:所述步 骤 (2) 中形成的牺牲层依次包括第一牺牲层和第二牺牲层,其结构 呈现第二金属牺牲层的长度大于第一金属牺牲层。

[权利要求 6] 根据权利要求 5所述的一种剥离材料层的方法,其特征在于:所述步 骤 (3) 包括:

(a)蒸镀第一牺牲层,接着蒸镀第二牺牲层,其中第一牺牲层的蚀刻 速率大于第二牺牲层;

(b)定义牺牲层图形,利用黄光制程定义出图形,使用第一蚀刻液蚀 刻第二牺牲层,接着使用第二蚀刻液蚀刻第一牺牲层,利用不同蚀刻 溶液蚀刻不同牺牲层,且控制蚀刻速率使其双牺牲层形成上长下短的 蘑菇状的形貌。

[权利要求 7] 根据权利要求 6所述的一种剥离材料层的方法,其特征在于:所述第 一牺牲层的材厚度为 100~2000nm。

[权利要求 8] 根据权利要求 6所述的一种剥离材料层的方法,其特征在于:所述第 二牺牲层的厚度为 10~200nm。

[权利要求 9] 根据权利要求 5所述的一种剥离材料层的方法,其特征在于:所述第 一牺牲层的厚度高于所述材料层的厚度。

[权利要求 10] 根据权利要求 4所述的一种剥离材料层的方法,其特征在于:所述牺 牲层的厚度大于所述材料层的厚度。

[权利要求 11] 一种发光二极管的镜面制作方法,包括步骤:

(1) 提供一 LED外延结构,具有对相的第一表面和第二表面,其中 第一表面为出光面,第二表面划分为欧姆接触区和光反射区;

(2) 在所述 LED外延结构第二表面的欧姆接触区形成一牺牲层,所 述牺牲层呈上宽下窄状;

(3) 在所述外延结构的第二表面上沉积透光层,由于所述牺牲层呈 上宽下窄状,使得所述透光层覆盖在所述牺牲层的部分与覆盖在所述 外延结构第二表面的光反射区的部分断幵;

(4) 去除所述牺牲层,从而将位于所述牺牲层表面上的透光层剥离 ,形成图案化的透光层;

(5) 在所述透光层上形成金属反射层。