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1. (WO2019028314) HIGH DENSITY PIXELATED-LED CHIPS AND CHIP ARRAY DEVICES, AND FABRICATION METHODS
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Nº de publicación: WO/2019/028314 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2018/045102
Fecha de publicación: 07.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 03.08.2018
CIP:
H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 33/54 (2010.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
15
con componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, adaptados para la emisión de luz
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
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Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
52
Encapsulados
54
que tienen una forma particular
Solicitantes:
CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina 27703, US
Personas inventoras:
ANDREWS, Peter; US
Mandataria/o:
GUSTAFSON, Vincent, K.; US
Datos de prioridad:
62/541,03303.08.2017US
62/655,29610.04.2018US
62/655,30310.04.2018US
Título (EN) HIGH DENSITY PIXELATED-LED CHIPS AND CHIP ARRAY DEVICES, AND FABRICATION METHODS
(FR) PUCES DEL PIXELISÉES À HAUTE DENSITÉ ET DISPOSITIFS À RÉSEAU DE PUCES, ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Resumen:
(EN) Pixelated-LED chips and related methods are disclosed. A pixelated-LED chip includes an active layer with independently electrically accessible active layer portions arranged on or over a light-transmissive substrate. The active layer portions are configured to illuminate different light-transmissive substrate portions to form pixels. Various enhancements may beneficially provide increased contrast (i.e., reduced cross-talk between pixels) and/or promote inter-pixel illumination homogeneity, without unduly restricting light utilization efficiency. In some aspects, a light extraction surface of each substrate portion includes protruding features and light extraction surface recesses. Lateral borders between different pixels are aligned with selected light extraction surface recesses. In some aspects, selected light extraction surface recesses extend through an entire thickness of the substrate. Other technical benefits may additionally or alternatively be achieved.
(FR) La présente invention concerne des puces DEL pixelisées et des procédés associés. Une puce DEL pixelisée comprend une couche active avec des parties de couche active accessibles électriquement de manière indépendante disposées sur ou au dessus d'un substrat transmettant la lumière. Les parties de couche active sont conçues pour éclairer différentes parties du substrat transmettant la lumière pour former des pixels. Diverses améliorations peuvent avantageusement fournir un contraste accru (à savoir une diaphonie réduite entre pixels) et/ou favoriser une homogénéité d'éclairage entre pixels, sans restreindre indûment l'efficacité d'utilisation de la lumière. Selon certains aspects, une surface d'extraction de lumière de chaque partie du substrat comprend des éléments saillants et des évidements de surface d'extraction de lumière. Des bordures latérales entre différents pixels sont alignées avec des évidements de surface d'extraction de lumière sélectionnés. Selon certains aspects, les évidements de surface d'extraction de lumière sélectionnés s'étendent sur toute l'épaisseur du substrat. D'autres avantages techniques peuvent en outre ou en variante être obtenus.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)