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1. (WO2019026606) IMAGING DEVICE
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Nº de publicación: WO/2019/026606 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/026711
Fecha de publicación: 07.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 17.07.2018
CIP:
H04N 5/369 (2011.01) ,G01S 7/481 (2006.01) ,G01S 17/89 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
04
TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS
N
TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION
5
Detalles de los sistemas de televisión
30
Transformación de información luminosa o análoga en información eléctrica
335
que utiliza sensores de imagen de estado sólido [SIES]
369
arquitectura SEIS; Circuitos asociados a los mismos
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
S
LOCALIZACION DE LA DIRECCION POR RADIO; RADIONAVEGACION; DETERMINACION DE LA DISTANCIA O DE LA VELOCIDAD MEDIANTE EL USO DE ONDAS DE RADIO; LOCALIZACION O DETECCION DE PRESENCIA MEDIANTE EL USO DE LA REFLEXION O RERRADIACION DE ONDAS DE RADIO; DISPOSICIONES ANALOGAS QUE UTILIZAN OTRAS ONDAS
7
Detalles de sistemas según los gruposG01S13/,G01S15/,G01S17/209
48
de sistemas de acuerdo con el grupoG01S17/87
481
Características constructivas, p. ej. disposiciones de elementos ópticos
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
S
LOCALIZACION DE LA DIRECCION POR RADIO; RADIONAVEGACION; DETERMINACION DE LA DISTANCIA O DE LA VELOCIDAD MEDIANTE EL USO DE ONDAS DE RADIO; LOCALIZACION O DETECCION DE PRESENCIA MEDIANTE EL USO DE LA REFLEXION O RERRADIACION DE ONDAS DE RADIO; DISPOSICIONES ANALOGAS QUE UTILIZAN OTRAS ONDAS
17
Sistemas que utilizan la reflexión o rerradiación de ondas electromagnéticas que no sean ondas de radio, p. ej. sistemas lidar
88
Sistemas de lidar, especialmente adaptados para aplicaciones específicas
89
para la cartografía o la formación de imágenes
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
14
con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones
144
Dispositivos controlados por radiación
146
Estructuras de captadores de imágenes
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
08
en los que la radiación controla el flujo de corriente a través del dispositivo, p. ej. fotorresistencias
10
caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores
Solicitantes:
スタンレー電気株式会社 STANLEY ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 東京都目黒区中目黒2丁目9番13号 2-9-13, Nakameguro, Meguro-ku, Tokyo 1538636, JP
Personas inventoras:
中澤 克紀 NAKAZAWA, Katsunori; JP
後藤 浩成 GOTO, Hiroshige; JP
Mandataria/o:
特許業務法人創成国際特許事務所 SATO & ASSOCIATES; 東京都新宿区西新宿6-24-1 西新宿三井ビルディング 18階 Nishi-Shinjuku Mitsui Building 18F, 24-1, Nishi-Shinjuku 6-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023, JP
Datos de prioridad:
2017-14940201.08.2017JP
Título (EN) IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像装置
Resumen:
(EN) An imaging element 400 comprises a p-epi 112, a surface-side n-type semiconductor region 117 separated from an adjacent PD by a channel stopper 115, and a surface-side p+ region 123. Voltages different from each other are applied to the channel stopper 115 or the p+ region 123 and the p-epi 112. The voltages generate an accelerating electric field that accelerates electrons generated in the p-epi 112 by a photoelectric effect to the n-type semiconductor region 11.
(FR) L'invention concerne un élément d'imagerie (400) comprenant une épitaxie P- (112), une région en semi-conducteur de type N (117) côté surface séparée d'un PD adjacent par un dispositif d'arrêt de canal (115), et une région P+ (123) côté surface. Des tensions mutuellement différentes sont appliquées au dispositif d'arrêt de canal (115) ou à la région P+ (123) et à l'épitaxie P- (112). Les tensions génèrent un champ électrique d'accélération qui accélère les électrons générés dans l'épitaxie P- (112) par un effet photoélectrique sur la région en semi-conducteur de type N (117).
(JA) 撮像素子400は、p-epi112と、チャンネルストッパ115により隣接のPDから分離された表面側のn型半導体領域117と、さらに表面側のp+領域123とを有する。チャンネルストッパ115又はp+領域123とp-epi112とに相互に異なる電圧が印加される。該電圧は、光電効果によりp-epi112に生成される電子をn型半導体領域11に加速する加速電界を生成する。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)