Parte del contenido de esta aplicación no está disponible en este momento.
Si esta situación persiste, contáctenos aComentarios y contacto
1. (WO2019025453) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2019/025453 Nº de la solicitud internacional: PCT/EP2018/070761
Fecha de publicación: 07.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 31.07.2018
CIP:
H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/56 (2010.01) ,H01L 33/58 (2010.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
52
Encapsulados
54
que tienen una forma particular
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
50
Elementos de conversión de longitud de onda
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
52
Encapsulados
56
Materiales, p. ej. epoxy o resina de silicona
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
58
Elementos ópticos para modificación del campo
Solicitantes:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Personas inventoras:
LEISEN, Daniel; DE
WIESMANN, Christopher; DE
BRUNNER, Herbert; DE
PEYKER, Ludwig; DE
DINU, Emilia; DE
LINKOV, Alexander; DE
EBERHARD, Jens; DE
KEITH, Christina; DE
PINDL, Markus; null
REESWINKEL, Thomas; DE
RICHTER, Daniel; DE
Mandataria/o:
PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München, DE
Datos de prioridad:
10 2017 117 438.901.08.2017DE
Título (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
Resumen:
(EN) The invention relates to a method for producing an optoelectronic component, comprising the following method steps: A support having a top side is provided. An optoelectronic semiconductor chip is arranged above the top side of the support. Furthermore, a potting material is arranged above the top side of the support, the optoelectronic semiconductor chip being embedded into the potting material. The potting material forms a potting surface. A part of the potting material is removed at the potting surface. In this case, a topography is generated at the potting surface.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant optoélectronique comprenant les étapes suivantes. Un support présentant une face supérieure est fourni. Une puce à semi-conducteur optoélectronique est disposée au-dessus de la face supérieure du support. Une matière d’enrobage est également disposée au-dessus de la face supérieure dudit support, la puce à semi-conducteur optoélectronique étant noyée dans ladite matière d’enrobage. Cette matière d'enrobage forme une surface d’enrobage. Une partie de ladite matière d’enrobage est éliminée sur la surface d’enrobage. Une topographie est ainsi créée au niveau de ladite surface d’enrobage.
(DE) Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements weist die folgenden Verfahrensschritte auf. Ein Träger mit einer Oberseite wird bereitgestellt. Über der Oberseite des Trägers wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Weiterhin wird über der Oberseite des Trägers ein Vergussmaterial angeordnet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip in das Vergussmaterial eingebettet wird. Das Vergussmaterial bildet eine Vergussoberfläche. Ein Teil des Vergussmaterials wird an der Vergussoberfläche entfernt. Dabei wird an der Vergussoberfläche eine Topographie erzeugt.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Alemán (DE)
Idioma de la solicitud: Alemán (DE)