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1. (WO2019025009) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
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Nº de publicación: WO/2019/025009 Nº de la solicitud internacional: PCT/EP2017/069834
Fecha de publicación: 07.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 04.08.2017
CIP:
H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 33/56 (2010.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
50
Elementos de conversión de longitud de onda
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
52
Encapsulados
54
que tienen una forma particular
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
52
Encapsulados
56
Materiales, p. ej. epoxy o resina de silicona
Solicitantes:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Personas inventoras:
CHANG, Seng-Teong; MY
OR, Choon Keat; MY
NG, Lee-Ying Jacqueline; MY
LOOI, Chai-Yun Jade; MY
Mandataria/o:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Datos de prioridad:
Título (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Resumen:
(EN) A method for producing an optoelectronic semiconductor device (10) is specified, said method comprising the following steps: - providing a frame part (1) which comprises a plurality of openings (11), - providing an auxiliary carrier (2), - connecting the auxiliary carrier (2) to the frame part (1) such that the auxiliary carrier (2) covers at least some of the openings (11) at an underside (1a) of the frame part (1), - placing conversion elements (3) onto the auxiliary carrier (2) in at least some of the openings (11), - placing optoelectronic semiconductor chips (4) onto the conversion elements (3) in at least some of the openings (11), - applying a housing (5) onto the conversion elements (3) and around the semiconductor chips (4) in at least some of the openings (11), - removing the frame part (1) and the auxiliary carrier (2).
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur optoélectronique (10), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - fournir une partie cadre (1) qui comprend une pluralité d'ouvertures (11), - fournir un support auxiliaire (2), - relier le support auxiliaire (2) à la partie cadre (1) de telle sorte que le support auxiliaire (2) recouvre au moins certaines des ouvertures (11) sur une face inférieure (1a) de la partie cadre (1), - placer des éléments de conversion (3) sur le support auxiliaire (2) dans au moins certaines des ouvertures (11), - placer des puces semi-conductrices optoélectroniques (4) sur les éléments de conversion (3) dans au moins certaines des ouvertures (11), - appliquer un boîtier (5) sur les éléments de conversion (3) et autour des puces semi-conductrices (4) dans au moins certaines des ouvertures (11), - retirer la partie cadre (1) et le support auxiliaire (2).
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)