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1. (WO2019024906) LDMOS COMPONENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE
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Nº de publicación: WO/2019/024906 Nº de la solicitud internacional: PCT/CN2018/098447
Fecha de publicación: 07.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 03.08.2018
CIP:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
334
Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar
335
Transistores de efecto de campo
336
con puerta aislada
Solicitantes:
无锡华润上华科技有限公司 CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省无锡市 新区新洲路8号 No. 8 Xinzhou Road, New District Wuxi, Jiangsu 214028, CN
Personas inventoras:
金华俊 JIN, Huajun; CN
孙贵鹏 SUN, Guipeng; CN
金宏峰 JIN, Hongfeng; CN
Mandataria/o:
广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; 中国广东省广州市天河区珠江东路6号4501房 (部位:自编01-03和08-12单元)(仅限办公用途) Room 4501, No. 6 Zhujiang East Road, Tianhe District, Guangzhou Guangdong 510623, CN
Datos de prioridad:
201710660988.804.08.2017CN
Título (EN) LDMOS COMPONENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSANT LDMOS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(ZH) 一种LDMOS器件及其制造方法和电子装置
Resumen:
(EN) Provided in the present invention are an LDMOS component, a manufacturing method therefor, and an electronic device, comprising: a semiconductor substrate (100); a drift area (101) provided in the semiconductor substrate; a gate electrode structure (103) provided on a part of the surface of the semiconductor substrate and covers a part of the surface of the drift area; a source electrode (1052) and a drain electrode (1051) respectively provided in the semiconductor substrate on either side of the gate electrode structure, where the drain electrode is provided in the drift area and is separated from the gate electrode structure; a metal silicide barrier layer (106) covering the surface of at least a part of the semiconductor substrate between the gate electrode structure and the drain electrode; and a first contact hole (1081) provided on the surface of at least a part of the metal silicide barrier layer.
(FR) La présente invention concerne un composant LDMOS, son procédé de fabrication, et un dispositif électronique, comprenant : un substrat semi-conducteur (100) ; une zone de dérive (101) disposée dans le substrat semi-conducteur ; une structure d'électrode de grille (103) disposée sur une partie de la surface du substrat semi-conducteur et recouvrant une partie de la surface de la zone de dérive ; une électrode de source (1052) et une électrode de drain (1051) disposées respectivement dans le substrat semi-conducteur de chaque côté de la structure d'électrode de grille, l'électrode de drain étant disposée dans la zone de dérive et étant séparée de la structure d'électrode de grille; une couche barrière en siliciure métallique (106) recouvrant la surface d'au moins une partie du substrat semi-conducteur entre la structure d'électrode de grille et l'électrode de drain; et un premier trou de contact (1081) disposé sur la surface d'au moins une partie de la couche barrière en siliciure métallique.
(ZH) 本发明提供一种LDMOS器件及其制造方法和电子装置,包括:半导体衬底(100);漂移区(101),设置在半导体衬底中;栅极结构(103),设置在半导体衬底的部分表面上,并覆盖部分漂移区的表面;源极(1052)和漏极(1051),分别设置在栅极结构两侧的半导体衬底中,其中,漏极设置在漂移区内并与栅极结构之间存在间隔;金属硅化物阻挡层(106),覆盖栅极结构和漏极之间的至少部分半导体衬底的表面;第一接触孔(1081),设置在至少部分金属硅化物阻挡层的表面上。
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Idioma de publicación: Chino (ZH)
Idioma de la solicitud: Chino (ZH)