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1. (WO2019024021) FILM FORMING DEVICE AND FILM FORMING METHOD
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2019/024021 Nº de la solicitud internacional: PCT/CN2017/095699
Fecha de publicación: 07.02.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 02.08.2017
CIP:
H01L 31/18 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
18
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
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Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento
22
caracterizado por el proceso de revestimiento
56
Aparatos especialmente adaptados al revestimiento en continuo; Dispositivos para mantener el vacío, p. ej. cierre estanco
Solicitantes:
深圳市柔宇科技有限公司 SHENZHEN ROYOLE TECHNOLOGIES CO., LTD [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区横岗街道龙岗大道8288号大运软件小镇43栋 Building #43, Dayun Software Town No. 8288 Longgang Road, Henggang Street Longgang District Shenzhen, Guangdong 518115, CN
Personas inventoras:
欧建兵 OU, Jianbing; CN
Mandataria/o:
广州三环专利商标代理有限公司 SCIHEAD IP LAW FIRM; 中国广东省广州市 越秀区先烈中路80号汇华商贸大厦1508室 Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Datos de prioridad:
Título (EN) FILM FORMING DEVICE AND FILM FORMING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(ZH) 成膜设备及成膜方法
Resumen:
(EN) A film forming device (10) comprises a film forming chamber (11, 12). At least two material sources (121, 122) are disposed inside the film forming chamber (11, 12). The at least two material sources (121, 122) are used for coating a film on a substrate (100). A safe working distance (D) exists between every two material sources (121, 122), and after the current material source (121) coats a film on the substrate (100), the next material source (122) coats a film on a film layer formed by the previous material source (121). A film forming method, used for forming a film layer on the substrate (100). By means of the film forming device and the film forming method, a film forming processing line can be shortened, the production efficiency is improved, and device costs are reduced.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif de formation de film (10) qui comprend une chambre de formation de film (11, 12). Au moins deux sources de matériau (121, 122) sont disposées dans la chambre de formation de film (11, 12), lesdites sources de matériau (121, 122) servent à revêtir un film sur un substrat (100). Une distance de travail sûre (D) existe entre chaque paire de sources de matériau (121, 122), et après revêtement d'un film sur le substrat (100) par la source de matériau actuelle (121), la source de matériau suivante (122) revêt un film sur une couche de film formée par la source de matériau précédente (121). L'invention porte également sur un procédé de formation de film, permettant de former une couche de film sur le substrat (100). Au moyen du dispositif et du procédé de formation de film, une ligne de traitement de formation de film peut être raccourcie, l'efficacité de production est améliorée, et les coûts de dispositif sont réduits.
(ZH) 一种成膜设备(10),包括成膜室(11,21),成膜室(11,21)内设有至少两个材料源(121,122),至少两个材料源(121,122)用于依次在基板(100)上镀膜;其中,每两个相邻的材料源(121,122)之间具有安全工作距离(D),且当前一个材料源(121)在基板(100)上镀膜后,后一个材料源(122)在前一个材料源(121)所形成的膜层之上再次镀膜。一种成膜方法,用于在基板(100)上形成膜层。成膜设备及成膜方法能够缩短成膜工艺线,提升生产效率,并降低设备成本。
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Chino (ZH)
Idioma de la solicitud: Chino (ZH)