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1. (WO2019009211) REFLECTIVE PHOTOMASK BLANK AND REFLECTIVE PHOTOMASK
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Nº de publicación: WO/2019/009211 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/024889
Fecha de publicación: 10.01.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 29.06.2018
CIP:
G03F 1/24 (2012.01)
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
1
Originales para la producción por vía fotomecánica de superficies texturadas, por ejemplo, mascaras, foto-mascaras o reticulas; Máscara en blanco o películas para ello ; Contenedores especialmente adaptados a este efecto ; Su preparación.
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máscaras o máscaras vacías para imagen por radiación de 100 nm o longitud de onda inferior, p.ej. máscaras de rayos X, máscaras de ultra-violeta extremo [EUV] ; Su preparación
24
Máscaras de reflexión; Su preparación
Solicitantes:
凸版印刷株式会社 TOPPAN PRINTING CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都台東区台東一丁目5番1号 5-1, Taito 1-chome, Taito-ku, Tokyo 1100016, JP
Personas inventoras:
福上 典仁 FUKUGAMI Norihito; JP
古溝 透 KOMIZO Toru; JP
Mandataria/o:
廣瀬 一 HIROSE Hajime; JP
宮坂 徹 MIYASAKA Toru; JP
Datos de prioridad:
2017-13202605.07.2017JP
Título (EN) REFLECTIVE PHOTOMASK BLANK AND REFLECTIVE PHOTOMASK
(FR) ÉBAUCHE DE PHOTOMASQUE RÉFLÉCHISSANT ET PHOTOMASQUE RÉFLÉCHISSANT
(JA) 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
Resumen:
(EN) A reflective photomask blank (10) according to one embodiment of the present invention comprises a substrate (1), a reflective layer (2) that is formed on the substrate (1), and a light absorption layer (4) that is formed on the reflective layer (2). The light absorption layer (4) comprises a tin oxide film which has a film thickness of from 25 nm to 45 nm (inclusive), and which has an atomic ratio of oxygen (O) to tin (Sn), namely O/Sn of more than 1.50 but 2.0 or less. Consequently, the projection effect of a reflective photomask for pattern transfer using extreme ultraviolet light as a light source is suppressed or reduced, thereby improving the transfer performance to a semiconductor substrate, while improving the cleaning resistance of the light absorption layer.
(FR) L'invention concerne une ébauche de photomasque réfléchissant (10), qui selon un mode de réalisation de la présente invention comprend un substrat (1), une couche réfléchissante (2) qui est formée sur le substrat (1), et une couche d'absorption de lumière (4) qui est formée sur la couche réfléchissante (2). La couche d'absorption de lumière (4) comprend un film d'oxyde d'étain qui a une épaisseur de film de 25 nm à 45 nm (inclusivement) et qui a un rapport atomique d'oxygène (O) à étain (Sn), à savoir O/Sn, supérieur à 1,50 mais inférieur ou égal à 2,0. Par conséquent, l'effet de projection d'un photomasque réfléchissant dans le transfert de motifs utilisant une lumière ultraviolette extrême comme source de lumière est supprimé ou réduit, ce qui permet d'améliorer les performances de transfert sur un substrat semi-conducteur tout en améliorant la résistance au nettoyage de la couche d'absorption de lumière.
(JA) 第一態様の反射型フォトマスクブランク(10)は、基板(1)と、基板(1)上に形成された反射層(2)と、反射層(2)の上に形成された光吸収層(4)を有する。光吸収層(4)は、錫(Sn)に対する酸素(O)の原子数比(O/Sn)が1.50を超え2.0以下で、膜厚が25nm以上45nm以下の酸化錫膜を含む。これにより、極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型フォトマスクの射影効果が抑制または軽減され、半導体基板への転写性能が向上するとともに、光吸収層の洗浄耐性が向上する。
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African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)