Parte del contenido de esta aplicación no está disponible en este momento.
Si esta situación persiste, contáctenos aComentarios y contacto
1. (WO2019009054) SUBSTRATE TREATMENT SYSTEM, SUBSTRATE CLEANING METHOD, AND STORAGE MEDIUM
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2019/009054 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/023178
Fecha de publicación: 10.01.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 19.06.2018
CIP:
H01L 21/304 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
302
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
304
Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte
Solicitantes:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
Personas inventoras:
菅野 至 KANNO, Itaru; JP
関口 賢治 SEKIGUCHI, Kenji; JP
相原 明徳 AIBARA, Meitoku; JP
緒方 信博 OGATA, Nobuhiro; JP
Mandataria/o:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都千代田区霞が関3丁目8番1号 虎の門三井ビルディング Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
Datos de prioridad:
2017-13048303.07.2017JP
Título (EN) SUBSTRATE TREATMENT SYSTEM, SUBSTRATE CLEANING METHOD, AND STORAGE MEDIUM
(FR) SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT, ET SUPPORT DE STOCKAGE
(JA) 基板処理システム、基板洗浄方法および記憶媒体
Resumen:
(EN) The substrate treatment system according to an embodiment of the present invention is provided with a holding unit, a peeling solution supply unit, and a dissolving solution supply unit. The holding unit holds a substrate, on which a treatment film containing a phenol resin is formed, said phenol resin being soluble in organic solvents. The peeling solution supply unit supplies the treatment film with a peeling solution that peels the treatment film from the substrate. The dissolving solution supply unit supplies the treatment film with a dissolving solution that dissolves the treatment film.
(FR) Un système de traitement de substrat selon un mode de réalisation de la présente invention comporte une unité de maintien, une unité d'alimentation en solution de pelage et une unité d'alimentation en solution de dissolution. L'unité de maintien maintient un substrat, sur lequel est formé un film de traitement contenant une résine phénolique, ladite résine phénolique étant soluble dans des solvants organiques. L'unité d'alimentation en solution de pelage fournit le film de traitement à une solution de pelage qui détache le film de traitement du substrat. L'unité d'alimentation en solution de dissolution fournit le film de traitement avec une solution de dissolution qui dissout le film de traitement.
(JA) 実施形態に係る基板処理システムは、保持部と、剥離処理液供給部と、溶解処理液供給部とを備える。保持部は、有機溶媒に可溶なフェノール樹脂を含有する処理膜が形成された基板を保持する。剥離処理液供給部は、処理膜を基板から剥離させる剥離処理液を処理膜に対して供給する。溶解処理液供給部は、処理膜を溶解させる溶解処理液を処理膜に対して供給する。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)