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1. (WO2019005168) PHASE-CHANGE MATERIAL BASED SELECTOR FOR LOW VOLTAGE BIPOLAR MEMORY DEVICES AND THEIR METHODS OF FABRICATION
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Nº de publicación: WO/2019/005168 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2017/040511
Fecha de publicación: 03.01.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 30.06.2017
CIP:
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
45
Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación, amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos; Dispositivos con efecto Ovshinsky; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
43
Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas
10
Selección de materiales
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
43
Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas
12
Procesos o aparatos específicos para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus elementos
Solicitantes:
KARPOV, Elijah V. [US/US]; US
KENCKE, David L. [US/US]; US
MAJHI, Prashant [IN/US]; US
DOYLE, Brian S. [IE/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Personas inventoras:
KARPOV, Elijah V.; US
KENCKE, David L.; US
MAJHI, Prashant; US
DOYLE, Brian S.; US
Mandataria/o:
BRASK, Justin, K.; US
Datos de prioridad:
Título (EN) PHASE-CHANGE MATERIAL BASED SELECTOR FOR LOW VOLTAGE BIPOLAR MEMORY DEVICES AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) SÉLECTEUR À BASE DE MATÉRIAU À CHANGEMENT DE PHASE POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE BIPOLAIRE BASSE TENSION ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Resumen:
(EN) A memory device includes a wordline disposed above a substrate and a selector element disposed above the wordline, where the selector element includes a phase change material. The memory device further includes a bipolar memory element dsiposed above the wordline, a conductive electrode between the selector element and the bipolar memory element and a bitline diposed above the wordline.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire qui comprend une ligne de mots disposée au-dessus d'un substrat et un élément de sélecteur disposé au-dessus de la ligne de mots, l'élément de sélecteur comprenant un matériau à changement de phase. Le dispositif de mémoire comprend en outre un élément de mémoire bipolaire disposé au-dessus de la ligne de mots, une électrode conductrice entre l'élément de sélecteur et l'élément de mémoire bipolaire, et une ligne de bits disposée au-dessus de la ligne de mots.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)