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1. (WO2019005129) SPIN HALL EFFECT MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY BITCELL
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Nº de publicación: WO/2019/005129 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2017/040406
Fecha de publicación: 03.01.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 30.06.2017
CIP:
G11C 11/16 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 27/22 (2006.01)
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
02
que utilizan elementos magnéticos
16
que utilizan elementos en los que el efecto de almacenamiento está basado en el efecto de spin magnético
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
43
Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas
08
Resistencias controladas por un campo magnético
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
22
con componentes que utilizan los efectos galvanomagnéticos, p. ej. efecto Hall; que utilizan los efectos de campos magnéticos análogos
Solicitantes:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Personas inventoras:
WANG, Yih; US
MANIPATRUNI, Sasikanth; US
Mandataria/o:
WAGAR, Bruce A.; US
Datos de prioridad:
Título (EN) SPIN HALL EFFECT MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY BITCELL
(FR) CELLULE BINAIRE DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE À EFFET HALL DE SPIN
Resumen:
(EN) A spin Hall effect magnetoresistive random-access memory cell includes first and second access transistors in a device level of a semiconductor device, a wordline in the device level and coupled to gate terminals of the first and second access transistors, first and second source lines in a lowest metal interconnect layer of the semiconductor device and coupled to source terminals of the first and second access transistors, respectively, spin Hall metal in a lower portion of a second lowest metal interconnect layer and coupling drain terminals of the first and second access transistors, a magnetic tunnel junction (MTJ) in an upper portion of the second lowest metal interconnect layer and having a bottom terminal coupled to the spin Hall metal, and a bitline in a third lowest metal interconnect layer and coupled to a top terminal of the MTJ.
(FR) L'invention concerne une cellule de mémoire vive magnétorésistive à effet Hall de spin qui comprend des premier et second transistors d'accès au niveau du dispositif d'un dispositif semi-conducteur, une ligne de mots au niveau du dispositif et couplée à des bornes de grille des premier et second transistors d'accès, des première et seconde lignes de source dans une couche d'interconnexion métallique la plus basse du dispositif à semi-conducteur et couplées à des bornes de source des premier et second transistors d'accès, respectivement, font tourner du métal à effet Hall de spin dans une partie inférieure d'une seconde couche d'interconnexion métallique la plus basse et des bornes de drain de couplage des premier et second transistors d'accès, une jonction tunnel magnétique (MTJ) dans une partie supérieure de la seconde couche d'interconnexion métallique la plus basse et comportant une borne inférieure couplée au métal à effet Hall de spin, et une ligne de bits dans une troisième couche d'interconnexion métallique la plus basse et couplée à une borne supérieure de la MTJ.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)