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1. (WO2019005002) LEVEL SHIFTER
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Nº de publicación: WO/2019/005002 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2017/039373
Fecha de publicación: 03.01.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 27.06.2017
CIP:
H01L 27/10 (2006.01) ,H01L 27/11502 (2017.01) ,H01L 49/02 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
02
incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie
04
el sustrato común es un cuerpo semiconductor
10
con una pluralidad de componentes individuales en una configuración repetitiva
[IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid subgroup (0=>999999)!]
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
49
Dispositivos de estado sólido no cubiertos por los gruposH01L27/-H01L47/164; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas
02
Dispositivos de película delgada o de película gruesa
Solicitantes:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Personas inventoras:
MANIPATRUNI, Sasikanth; US
LIU, Huichu; US
MORRIS, Daniel H.; US
AVCI, Uygar E.; US
VAIDYANATHAN, Kaushik; US
NIKONOV, Dmitri E.; US
KARNIK, Tanay; US
YOUNG, Ian A.; US
Mandataria/o:
CRANDALL, Sean C.; US
Datos de prioridad:
Título (EN) LEVEL SHIFTER
(FR) DISPOSITIF DE DÉCALAGE DE NIVEAU
Resumen:
(EN) There is disclosed in one example a level shifter, including: a first ferroelectric capacitor; an input voltage signal applied to a first node of the first ferroelectric capacitor; a second capacitor; and an output voltage signal at a shared node of the first ferroelectric capacitor and second capacitor.
(FR) La présente invention concerne, dans un exemple, un dispositif de décalage de niveau qui comprend : un premier condensateur ferroélectrique ; un signal de tension d'entrée appliqué sur un premier nœud du premier condensateur ferroélectrique ; un second condensateur ; et un signal de tension de sortie à un nœud partagé du premier condensateur ferroélectrique et du second condensateur.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)