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1. (WO2019004184) PLASMA TREATMENT DEVICE
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Nº de publicación: WO/2019/004184 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/024146
Fecha de publicación: 03.01.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 26.06.2018
Se presentó la solicitud en virtud del Capítulo II: 18.12.2018
CIP:
H05H 1/46 (2006.01) ,B01J 19/08 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
05
TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
H
TECNICA DEL PLASMA; PRODUCCION DE PARTICULAS ACELERADAS ELECTRICAMENTE CARGADAS O DE NEUTRONES; PRODUCCION O ACELERACION DE HACES MOLECULARES O ATOMICOS NEUTROS
1
Producción del plasma; Manipulación del plasma
24
Producción del plasma
46
utilizando campos electromagnéticos aplicados, p. ej. energía a alta frecuencia o en forma de microondas
B TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES
01
PROCEDIMIENTOS O APARATOS FISICOS O QUIMICOS EN GENERAL
J
PROCEDIMIENTOS QUIMICOS O FISICOS, p. ej. CATALISIS, QUIMICA DE LOS COLOIDES; APARATOS ADECUADOS
19
Procedimientos químicos, físicos o físico-químicos en general; Aparatos apropiados
08
Procedimientos que utilizan la aplicación directa de la energía ondulatoria o eléctrica, o una radiación particular; Aparatos para estos usos
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
14
Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento
22
caracterizado por el proceso de revestimiento
34
Pulverización catódica
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
302
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
306
Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica
3065
Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos
Solicitantes:
キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県川崎市麻生区栗木2-5-1 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550, JP
Personas inventoras:
田名部 正治 TANABE, Masaharu; JP
関谷 一成 SEKIYA, Kazunari; JP
井上 忠 INOUE, Tadashi; JP
笹本 浩 SASAMOTO, Hiroshi; JP
佐藤 辰憲 SATO, Tatsunori; JP
土屋 信昭 TSUCHIYA, Nobuaki; JP
竹田 敦 TAKEDA, Atsushi; JP
Mandataria/o:
大塚 康徳 OHTSUKA, Yasunori; JP
大塚 康弘 OHTSUKA, Yasuhiro; JP
高柳 司郎 TAKAYANAGI, Jiro; JP
木村 秀二 KIMURA, Shuji; JP
Datos de prioridad:
2018-01755002.02.2018JP
PCT/JP2017/02360327.06.2017JP
PCT/JP2017/02361127.06.2017JP
Título (EN) PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
Resumen:
(EN) A plasma treatment device provided with: a balun having a first unbalanced terminal, a second unbalanced terminal, a first balanced terminal, and a second balanced terminal; a grounded vacuum container; a first electrode electrically connected to the first balanced terminal; a second electrode electrically connected to the second balanced terminal; an adjustment reactance having an effect on the relationship between a first voltage applied to the first electrode and a second voltage applied to the second electrode; a high-frequency power supply for generating high-frequency waves supplied between the first unbalanced terminal and the second unbalanced terminal; a substrate-holding unit for holding a substrate; and a drive mechanism for rotating the substrate-holding unit. The high-frequency power supply is such that the frequency of the high-frequency waves can be modified, and modifying the frequency adjusts the relationship.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de traitement au plasma comprenant : un symétriseur pourvu de première et seconde bornes non équilibrées et de première et seconde bornes équilibrées ; un contenant sous vide mis à la terre ; une première électrode connectée électriquement à la première borne équilibrée ; une seconde électrode connectée électriquement à la seconde borne équilibrée ; une réactance de réglage ayant un effet sur la relation entre une première tension appliquée à la première électrode et une seconde tension appliquée à la seconde électrode ; une alimentation électrique haute fréquence servant à générer des ondes haute fréquence fournies entre les première et seconde bornes non équilibrées ; une unité de maintien de substrat servant à maintenir un substrat ; et un mécanisme d'entraînement servant à faire tourner l'unité de maintien de substrat. L'alimentation électrique haute fréquence est telle que la fréquence des ondes haute fréquence peut être modifiée, d'où un réglage de la relation.
(JA) プラズマ処理装置は、第1不平衡端子、第2不平衡端子、第1平衡端子および第2平衡端子を有するバランと、接地された真空容器と、前記第1平衡端子に電気的に接続された第1電極と、前記第2平衡端子に電気的に接続された第2電極と、前記第1電極に印加される第1電圧と前記第2電極に印加される第2電圧との関係に影響を与える調整リアクタンスと、前記第1不平衡端子と前記第2不平衡端子との間に供給される高周波を発生する高周波電源と、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる駆動機構と、を備え、前記高周波電源は、前記高周波の周波数を変更可能であり、前記周波数の変更によって前記関係が調整される。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)