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1. (WO2019003045) STORAGE DEVICE
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2019/003045 Nº de la solicitud internacional: PCT/IB2018/054482
Fecha de publicación: 03.01.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 19.06.2018
CIP:
G11C 11/4091 (2006.01) ,G11C 5/02 (2006.01) ,G11C 7/06 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
21
que utilizan elementos eléctricos
34
que utilizan dispositivos de semiconductores
40
que utilizan transistores
401
formando celdas que necesiten un refresco o una regeneración de la carga, es decir celdas dinámicas
4063
Circuitos auxiliares, p. ej. para el direccionamiento, la descodificación, el accionamiento, la escritura, la lectura o la sincronización
407
para celdas de memoria del tipo efecto de campo
409
Circuitos de lectura-escritura (R-W)
4091
Amplificadores de lectura o de lectura/refresco, o circuitos de lectura asociados, p. ej. para la precarga, la compensación o el aislamiento de las líneas de bits acoplados
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
5
Detalles de memorias cubiertos por el grupo G11C11/96
02
Disposición de elementos de almacenamiento, p. ej. bajo la forma de una matriz
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
7
Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital
06
Amplificadores para lectura; Circuitos asociados
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
70
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos
77
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común
78
con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales
82
para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes
822
siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio
8232
Tecnología de efecto de campo
8234
Tecnología MIS
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
70
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos
77
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común
78
con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales
82
para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes
822
siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio
8232
Tecnología de efecto de campo
8234
Tecnología MIS
8239
Estructuras de memorias
8242
Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
02
incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie
04
el sustrato común es un cuerpo semiconductor
06
con una pluralidad de componentes individuales en una configuración no repetitiva
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
02
incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie
04
el sustrato común es un cuerpo semiconductor
10
con una pluralidad de componentes individuales en una configuración repetitiva
105
comprendiendo componentes de efecto de campo
108
Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786
Transistores de película delgada
Solicitantes:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Personas inventoras:
大貫達也 ONUKI, Tatsuya; JP
長塚修平 NAGATSUKA, Shuhei; JP
Datos de prioridad:
2017-12501727.06.2017JP
2017-14883901.08.2017JP
Título (EN) STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE
(JA) 記憶装置
Resumen:
(EN) Provided is a storage device with a fast operating speed. This storage device is provided with a first and a second memory cell, a first and a second bit line, a first and a second switch, and a sense amplifier. The sense amplifier is provided with a first node and a second node. The first memory cell is electrically connected to the first node via the first bit line and the first switch, and the second memory cell is electrically connected to the second node via the second bit line and the second switch. The sense amplifier amplifies the potential difference between the first node and the second node. The first memory cell and the second memory cell are each provided with a transistor which includes an oxide semiconductor in the channel formation region.
(FR) L'invention concerne un dispositif de stockage comportant une vitesse de fonctionnement rapide. Ce dispositif de stockage est pourvu d'une première et d'une seconde cellule de mémoire, d'une première et d'une seconde ligne de bits, d'un premier et d'un second commutateur, et d'un amplificateur de détection. L'amplificateur de détection est pourvu d'un premier nœud et d'un second nœud. La première cellule de mémoire est connectée électriquement au premier noeud par l'intermédiaire de la première ligne de bits et du premier commutateur, et la seconde cellule de mémoire est connectée électriquement au second noeud par l'intermédiaire de la seconde ligne de bits et du second commutateur. L'amplificateur de détection amplifie la différence de potentiel entre le premier noeud et le second noeud. La première cellule de mémoire et la seconde cellule de mémoire sont chacune pourvues d'un transistor qui comprend un semi-conducteur d'oxyde dans la région de formation de canal.
(JA) 動作速度の速い記憶装置を提供する。 第1および第2メモリセルと、 第1および第2ビット線と、 第1および第2スイッチと、 センスアン プを有する記憶装置である。 センスアンプは第1ノードおよび第2ノードを有する。 第1メモリセル は、第1ビット線および第1スイッチを介して、第1ノードに電気的に接続され、第2メモリセルは、 第2ビット線および第2スイッチを介して、 第2ノードに電気的に接続される。 センスアンプは、 第 1ノードと第2ノードの電位差を増幅する。 第1メモリセルおよび第2メモリセルは、 チャネル形成 領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有する。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)