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1. (WO2019003037) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC COMPONENT
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Nº de publicación: WO/2019/003037 Nº de la solicitud internacional: PCT/IB2018/054405
Fecha de publicación: 03.01.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 15.06.2018
CIP:
H04N 5/369 (2011.01) ,G11C 11/405 (2006.01) ,H01L 27/1156 (2017.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H ELECTRICIDAD
04
TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS
N
TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION
5
Detalles de los sistemas de televisión
30
Transformación de información luminosa o análoga en información eléctrica
335
que utiliza sensores de imagen de estado sólido [SIES]
369
arquitectura SEIS; Circuitos asociados a los mismos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
21
que utilizan elementos eléctricos
34
que utilizan dispositivos de semiconductores
40
que utilizan transistores
401
formando celdas que necesiten un refresco o una regeneración de la carga, es decir celdas dinámicas
403
con regeneración de la carga común a varias celdas de memoria, es decir refresco externo
405
con tres puertas de transferencia de carga, p. ej. transistores MOS, por celda
[IPC code unknown for H01L 27/1156]
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
14
con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones
144
Dispositivos controlados por radiación
146
Estructuras de captadores de imágenes
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786
Transistores de película delgada
H ELECTRICIDAD
04
TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS
N
TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION
5
Detalles de los sistemas de televisión
30
Transformación de información luminosa o análoga en información eléctrica
335
que utiliza sensores de imagen de estado sólido [SIES]
369
arquitectura SEIS; Circuitos asociados a los mismos
374
Dirigido a sensores, p. ej. MOS o sensores CMOS
Solicitantes:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Personas inventoras:
岡本佑樹 OKAMOTO, Yuki; JP
黒川義元 KUROKAWA, Yoshiyuki; JP
楠本直人 KUSUMOTO, Naoto; JP
Datos de prioridad:
2017-12512427.06.2017JP
Título (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC COMPONENT
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置および電子部品
Resumen:
(EN) Provided is a semiconductor device which is capable of holding a signal detected by a sensor element. This semiconductor device is provided with a sensor element, a first transistor, a second transistor, and a third transistor, wherein one electrode of the sensor element is electrically connected to a first gate, the first gate is electrically connected to either the source or the drain of the third transistor, either the source or the drain of the first transistor is electrically connected to the gate of the second transistor, and a semiconductor layer is provided with a metal oxide.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est capable de maintenir un signal détecté par un élément de capteur. Le dispositif à semi-conducteur de la présente invention est pourvu d'un élément de capteur, d'un premier transistor, d'un deuxième transistor et d'un troisième transistor, une électrode de l'élément de capteur étant électriquement connectée à une première grille, la première grille étant électriquement connectée soit à la source soit au drain du troisième transistor, soit la source soit le drain du premier transistor étant connecté électriquement à la grille du deuxième transistor, et une couche semi-conductrice étant pourvue d'un oxyde métallique.
(JA) センサ素子が検知した信号を保持することのできる半導体装置を提供する。 センサ素子と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、を有し、セ ンサ素子の一方の電極は第1のゲートと電気的に接続され、第1のゲートは第3のトランジスタのソ ースまたはドレインの一方と電気的に接続され、第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方 は第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、半導体層は金属酸化物を有する構成とする。
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African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)