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1. (WO2018235715) MODULE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
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Nº de publicación: WO/2018/235715 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/022700
Fecha de publicación: 27.12.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 14.06.2018
CIP:
H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 25/04 (2014.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
50
Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo deH01L21/06-H01L21/326215
60
Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
12
Soportes, p. ej. sustratos aislantes no amovibles
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
25
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
03
siendo todos los dispositivos de un tipo previsto en el mismo subgrupo de los gruposH01L27/-H01L51/191
04
los dispositivos no tienen contenedores separados
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
25
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
18
siendo los dispositivos de tipos previstos en varios subgrupos diferentes del mismo grupo principal de los gruposH01L27/-H01L51/220
Solicitantes:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Personas inventoras:
松川 喜孝 MATSUKAWA, Yoshitaka; JP
勝部 彰夫 KATSUBE, Akio; JP
Mandataria/o:
梁瀬 右司 YANASE, Yuji; JP
丸山 陽介 MARUYAMA, Yosuke; JP
Datos de prioridad:
2017-12016020.06.2017JP
Título (EN) MODULE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) MODULE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) モジュールおよびその製造方法
Resumen:
(EN) This module 1 is provided with: a substrate 2; a plurality of components 3 which are mounted on an upper surface 2a of the substrate 2; a component 4 which is mounted on a lower surface 2b; a solder ball 5 which is mounted on the lower surface 2b and functions as an external connection terminal; sealing resin layers 6a, 6b which are respectively laminated on the upper surface 2a and the upper surface 2b of the substrate 2; and a shield film 7 which covers the lateral surface and the upper surface of the module 1. The solder ball 5 is partially exposed from a surface 60b of the sealing resin layer 6b; and the exposed portion thereof protrudes from the sealing resin layer 6b. The module 1 is able to be connected to a mother board by connecting the protruding portion of the solder ball 5 to an electrode of the mother board, so that the protruding portion functions as an external connection terminal. There is a void space 9 between the solder ball 5 and the sealing resin layer 6b, so that the stress due to the thermal expansion coefficient difference between the solder and the resin is reduced, thereby suppressing the occurrence of a crack in the solder ball 5.
(FR) L'invention concerne un module 1 qui est pourvu : d'un substrat 2 ; d'une pluralité de composants 3 qui sont montés sur une surface supérieure 2a du substrat 2 ; d'un composant 4 qui est monté sur une surface inférieure 2b ; d'une bille de soudure 5 qui est montée sur la surface inférieure 2b et fonctionne comme un terminal de connexion externe ; de couches de résine d'étanchéité 6a, 6b qui sont respectivement stratifiées sur la surface supérieure 2a et la surface supérieure 2b du substrat 2 ; et d'un film de protection 7 qui recouvre la surface latérale et la surface supérieure du module 1. La bille de soudure 5 est partiellement exposée à partir d'une surface 60b de la couche de résine d'étanchéité 6b ; et la partie exposée de celle-ci fait saillie à partir de la couche de résine d'étanchéité 6b. Le module peut être connecté à une carte mère en connectant la partie en saillie de la bille de soudure à une électrode de la carte mère, de telle sorte que la partie en saillie fonctionne comme un terminal de connexion externe. Il y a un espace vide 9 entre la bille de soudure 5 et la couche de résine d'étanchéité 6b, de telle sorte que la contrainte due à la différence de coefficient de dilatation thermique entre la brasure et la résine est réduite, ce qui permet de supprimer l'apparition d'une fissure dans la bille de soudure 5.
(JA) モジュール1は、基板2と、基板2の上面2aに実装された複数の部品3と、下面2bに実装された部品4と、下面2bに実装され、外部接続端子として機能する半田ボール5と、基板2の上面2aおよび上面2bに積層された封止樹脂層6a、6bと、モジュール1の側面と上面を覆うシールド膜7とを備える。半田ボール5は、封止樹脂層6bの表面60bから一部が露出しており、露出した部分が封止樹脂層6bから突出した形状となっている。半田ボール5の突出部分を外部接続端子としてマザー基板の電極と接続することにより、モジュール1をマザー基板に接続することができる。半田ボール5と封止樹脂層6bとの間には空隙部9があり、半田と樹脂との熱膨張係数の差によるストレスを軽減して、半田ボール5にクラックが発生することを抑制することができる。
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)