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1. (WO2018230380) METHOD FOR PRODUCING POLYSILICON
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Nº de publicación: WO/2018/230380 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/021363
Fecha de publicación: 20.12.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 04.06.2018
Se presentó la solicitud en virtud del Capítulo II: 02.11.2018
CIP:
C01B 33/035 (2006.01)
C QUIMICA; METALURGIA
01
QUIMICA INORGANICA
B
ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS
33
Silicio; Sus compuestos
02
Silicio
021
Preparación
027
por descomposición o reducción de compuestos de silicio gaseoso o vaporizados distintos de sílice o un material que contiene sílice
035
por descomposición o reducción de compuestos de silicio gaseosos o vaporizados en presencia de filamentos calientes de silicio, de carbono o de un metal refractario, p. ej. tántalo o tungsteno, o en presencia de varillas de silicio calientes sobre las cuales el silicio formado se deposita con obtención de una varilla de silicio, p. ej. proceso Siemens
Solicitantes:
株式会社トクヤマ TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 山口県周南市御影町1番1号 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7458648, JP
Personas inventoras:
鎌田 誠 KAMADA, Makoto; JP
Mandataria/o:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Datos de prioridad:
2017-11912516.06.2017JP
Título (EN) METHOD FOR PRODUCING POLYSILICON
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) ポリシリコンの製造方法
Resumen:
(EN) The present invention achieves an efficient method for producing polysilicon. The present invention is a method for producing polysilicon by the Siemens process, wherein a reactor is connected to exhaust gas treatment equipment by a shutoff valve provided on an exhaust gas duct, the shutoff valve is provided in the vicinity of an exhaust gas outlet of the reactor, and exhaust gas is cooled by an indirect cooler between the exhaust gas outlet of the reactor and the shutoff valve.
(FR) La présente invention concerne un procédé efficace de production de silicium polycristallin. La présente invention concerne un procédé de production de silicium polycristallin par le procédé Siemens, dans lequel un réacteur est connecté à un équipement de traitement de gaz d'échappement par un robinet d'arrêt disposé sur un conduit de gaz d'échappement, le robinet d'arrêt est disposé à proximité d'une sortie de gaz d'échappement du réacteur, et le gaz d'échappement est refroidi par un refroidisseur indirect entre la sortie de gaz d'échappement du réacteur et le robinet d'arrêt.
(JA) ポリシリコンの効率的な製造方法を実現する。本発明は、ジーメンス法によるポリシリコンの製造方法であり、反応器と排ガス処理設備とは、排ガス配管に設けられた遮断弁によって接続されており、上記遮断弁は、上記反応器の排ガス出口の近傍に設けられており、上記反応器の排ガス出口と上記遮断弁との間において、間接冷却型の冷却器により排ガスを冷却する。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)