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1. (WO2018226284) ULTRA-LOW POWER MAGNETOELECTRIC MAGNETIC FIELD SENSOR
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2018/226284 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2018/022145
Fecha de publicación: 13.12.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 13.03.2018
CIP:
G01R 33/032 (2006.01) ,G01R 33/18 (2006.01) ,G01R 33/00 (2006.01)
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
R
MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS
33
Dispositivos o aparatos para la medida de valores magnéticos
02
Medida de la dirección o de la intensidad de campos magnéticos o de flujos magnéticos
032
utilizando dispositivos magnetoópticos, p. ej. por efecto Faraday
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
R
MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS
33
Dispositivos o aparatos para la medida de valores magnéticos
12
Medida de propiedades magnéticas de artículos o muestras de sólidos o de fluidos
18
Medida de las propiedades de magnetoestricción
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
R
MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS
33
Dispositivos o aparatos para la medida de valores magnéticos
Solicitantes:
THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE NAVY [US/US]; Naval Research Laboratory 875 North Randolph Street, Suite 1425 Arlington, VA 22203, US
CARNEGIE MELLON UNIVERSITY; 5000 Forbes Avenue Pittsburgh, PA 15213, US
Personas inventoras:
FINKEL, Peter; US
BENNETT, Steven, P.; US
STARUCH, Margo; US
BUSSMANN, Konrad; US
BALDWIN, Jeffrey, W.; US
MATIS, Bernard, R.; US
LACOMB, Ronald; US
ZAPPONE, William; US
LACOMB, Julie; US
METZLER, Meredith; US
GOTTRON, Norman; US
Mandataria/o:
BROOME, Kerry, L.; US
Datos de prioridad:
62/470,48913.03.2017US
Título (EN) ULTRA-LOW POWER MAGNETOELECTRIC MAGNETIC FIELD SENSOR
(FR) CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE MAGNÉTOÉLECTRIQUE À ULTRA-FAIBLE PUISSANCE
Resumen:
(EN) A high-sensitivity and ultra-low power consumption magnetic sensor using a magnetoelectric (ME) composite comprising of magnetostrictive and piezoelectric layers. This sensor exploits the magnetically driven resonance shift of a free-standing magnetoelectric micro-beam resonator. Also disclosed is the related method for making an on-chip micro-resonator magnetic sensor.
(FR) L'invention concerne un capteur magnétique à haute sensibilité et à ultra-faible consommation de puissance utilisant un composite magnétoélectrique (ME) comprenant des couches magnétostrictives et piézoélectriques. Ledit capteur exploite le décalage de résonance à guidage magnétique d'un résonateur à micro-faisceau magnétoélectrique autonome. L'invention concerne également le procédé de fabrication associé d'un capteur magnétique de micro-résonateur sur puce.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)