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1. (WO2018216226) FILM-FORMING DEVICE AND FILM-FORMING METHOD
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Nº de publicación: WO/2018/216226 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2017/020526
Fecha de publicación: 29.11.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 26.05.2017
CIP:
H01L 21/203 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/316 (2013.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
20
Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial
203
utilizando un depósito físico, p. ej. depósito en vacío, pulverización
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
16
Selección de materiales
18
para los elementos piezoeléctricos o electroestrictivos
187
Composiciones cerámicas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
41
Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles
22
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la montaje, fabricación o tratamiento de estos elementos o de sus partes constitutivas
31
Aplicando piezoeléctricos o partes electroestrictivos o cuerpos hasta un elemento eléctrico u otra base
314
depositando capas piezoeléctricos o electroestrictivos, p. ej.:aerosol o impresión de pantalla
316
por deposición en fase vapor
Solicitantes:
アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGIES, INC. [JP/JP]; 千葉県流山市西平井956番地の1 956-1, Nishi-hirai, Nagareyama-shi, Chiba 2700156, JP
Personas inventoras:
本多 祐二 HONDA Yuji; JP
木島 健 KIJIMA Takeshi; JP
濱田 泰彰 HAMADA Yasuaki; JP
Mandataria/o:
柳瀬 睦肇 YANASE Mutsuyasu; 東京都文京区本郷3丁目30番10号 本郷K&Kビル4階 進歩国際特許事務所 Patent Attorneys Shinpo, 4th Floor, Hongo K&K Building, 3-30-10, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033, JP
Datos de prioridad:
Título (EN) FILM-FORMING DEVICE AND FILM-FORMING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置及び成膜方法
Resumen:
(EN) The film-forming device according to one embodiment of the present invention has: a chamber 21 electrically connected to a grounding potential; a target TG disposed in the chamber; a power supply section 32 that supplies high-frequency power to the target; gas supply sections 23, 24 that supply a gas to the inside of the chamber; a substrate holding insulating section 25b, which is disposed in the chamber, and which holds a substrate SB by having the substrate face the target; a conductive supporting section 42 that supports the substrate holding insulating section; and a first insulating member 53 disposed between the conductive supporting section and the chamber. The conductive supporting section is electrically floating from the chamber due to the first insulating member, the substrate is held by the substrate holding insulating section when an outer peripheral section of the substrate comes into contact with the substrate holding insulating section, the substrate is electrically floating from the conductive supporting section, and the substrate holding insulating section does not overlap a center section of the substrate in plan view.
(FR) Le dispositif de formation de film selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : une chambre 21 connectée électriquement à un potentiel de mise à la terre; une cible TG disposée dans la chambre; une section d'alimentation électrique 32 qui fournit de l'énergie à haute fréquence à la cible; des sections d'alimentation en gaz 23, 24 qui fournissent un gaz à l'intérieur de la chambre; une section d'isolation de maintien de substrat 25b, qui est disposée dans la chambre, et qui maintient un substrat SB par le fait que le substrat fait face à la cible; une section de support conductrice 42 qui supporte la section d'isolation de maintien de substrat; et un premier élément isolant 53 disposé entre la section de support conductrice et la chambre. La section de support conductrice est électriquement flottante de la chambre en raison du premier élément isolant, le substrat est maintenu par la section d'isolation de maintien de substrat lorsqu'une section périphérique externe du substrat vient en contact avec la section d'isolation de maintien de substrat, le substrat est électriquement flottant à partir de la section de support conductrice, et la section d'isolation de maintien de substrat ne chevauche pas une section centrale du substrat dans une vue en plan.
(JA) 本発明の一態様に係る成膜装置は、接地電位に電気的に接続されるチャンバー21と、前記チャンバー内に配置されたターゲットTGと、前記ターゲットに高周波電力を供給する電力供給部32と、前記チャンバー内にガスを供給するガス供給部23,24と、前記チャンバー内に配置され、基板SBを前記ターゲットに対向させて保持する絶縁性基板保持部25bと、前記絶縁性基板保持部を支持する導電性支持部42と、前記導電性支持部と前記チャンバーとの間に配置された第1絶縁性部材53と、を有し、前記導電性支持部は前記第1絶縁性部材によって前記チャンバーに対して電気的に浮遊しており、前記基板の外周部が前記絶縁性基板保持部と接触することで、前記絶縁性基板保持部に前記基板が保持され、前記基板は前記導電性支持部に対して電気的に浮遊しており、前記絶縁性基板保持部は、平面視において前記基板の中央部と重ならない。
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African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)