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1. (WO2018194123) RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina InternacionalFormular observación

Nº de publicación: WO/2018/194123 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/016125
Fecha de publicación: 25.10.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 19.04.2018
CIP:
G03F 7/004 (2006.01) ,C08F 220/18 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
004
Materiales fotosensibles
04
Cromatos
C QUIMICA; METALURGIA
08
COMPUESTOS MACROMOLECULARES ORGANICOS; SU PREPARACION O PRODUCCION QUIMICA; COMPOSICIONES BASADAS EN COMPUESTOS MACROMOLECULARES
F
COMPUESTOS MACROMOLECULARES OBTENIDOS POR REACCIONES QUE IMPLICAN UNICAMENTE ENLACES INSATURADOS CARBONO - CARBONO
220
Copolímeros de compuestos que tienen uno o más radicales alifáticos insaturados, teniendo solamente cada uno un enlace doble carbono-carbono, y estando solamente terminado por un radical carboxi o una sal, anhídrido, éster, amida, imida o nitrilo del mismo
02
Acidos monocarboxílicos que tienen menos de diez átomos de carbono; Sus derivados
10
Esteres
12
de alcoholes o fenoles monohídricos
16
de fenoles o de alcoholes que contienen dos o más átomos de carbono
18
con ácidos acrílico o metacrílico
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
004
Materiales fotosensibles
038
Compuestos macromoleculares que se vuelven insolubles o selectivamente mojables
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
004
Materiales fotosensibles
039
Compuestos macromoleculares fotodegradables, p. ej. reservas positivas sensibles a los electrones
G FISICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7
Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
20
Exposición; Aparellaje a este efecto
Solicitantes:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
Personas inventoras:
古市 康太 FURUICHI Kouta; JP
岡嵜 聡司 OKAZAKI Satoshi; JP
Mandataria/o:
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
Datos de prioridad:
2017-08377120.04.2017JP
Título (EN) RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AU RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE
(JA) 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
Resumen:
(EN) The present invention is a radiation-sensitive resin composition containing a first polymer having structural units including an acid-dissociable group, a first compound generated by radiating radioactive rays onto a first acid that dissociates the acid-dissociable group in one minute at 110ºC, and a second compound generated by radiating radioactive rays onto a second acid that does not substantially dissociate the acid-dissociable group in one minute at 110ºC, the first compound content being at least 10% by mass of the total solid content (all non-solvent components in the composition), and the ratio Bm/Cm being at least 1.7, where Bm is the number of moles of the first compound and Cm is the number of moles of the second compound.
(FR) La présente invention concerne une composition de résine sensible au rayonnement contenant un premier polymère ayant des unités structurales comprenant un groupe dissociable par un acide, un premier composé généré par rayonnement de rayons radioactifs sur un premier acide qui dissocie le groupe dissociable par un acide en une minute à 110 °C et un second composé généré par rayonnement de rayons radioactifs sur un second acide qui ne dissocie pas sensiblement le groupe dissociable par un acide en une minute à 110 °C, la teneur en premier composé représentant au moins 10 % en masse de la teneur totale en solides (tous les composants autres que le solvant dans la composition) et le rapport Bm/Cm étant d'au moins 1,7, où Bm est le nombre de moles du premier composé et Cm est le nombre de moles du second composé.
(JA) 本発明は、酸解離性基を含む構造単位を有する第1重合体と、上記酸解離性基を110℃、1分の条件で解離させる第1酸を放射線の照射により発生する第1化合物と、上記酸解離性基を110℃、1分の条件で実質的に解離させない第2酸を放射線の照射により発生する第2化合物とを含有し、上記第1化合物の含有量が全固形分(組成物中の溶媒以外の全成分)中10質量%以上であり、上記第1化合物のモル数をB、上記第2化合物のモル数をCとした場合に、B/Cが1.7以上である感放射線性樹脂組成物である。
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)