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1. (WO2018189965) LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, SEMICONDUCTOR ELEMENT, WIRING FILM, WIRING SUBSTRATE, AND TARGET
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Nº de publicación: WO/2018/189965 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2017/046927
Fecha de publicación: 18.10.2018 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 27.12.2017
CIP:
G09F 9/30 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01B 1/02 (2006.01) ,H01B 5/14 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01) ,H05B 33/06 (2006.01)
G FISICA
09
ENSEÑANZA; CRIPTOGRAFIA; PRESENTACION; PUBLICIDAD; PRECINTOS
F
PRESENTACION; PUBLICIDAD; CARTELES; ETIQUETAS O PLACAS DE IDENTIFICACION; PRECINTOS
9
Dispositivos de representación de información variable, en los que la información se forma sobre un soporte, por selección o combinación de elementos individuales
30
en los que el o los caracteres deseados se forman por una combinación de elementos individuales
C QUIMICA; METALURGIA
23
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
C
REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
14
Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento
22
caracterizado por el proceso de revestimiento
34
Pulverización catódica
G FISICA
02
OPTICA
F
DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES
1
Dispositivos o sistemas para el control de la intensidad, color, fase, polarización o de la dirección de la luz que llega de una fuente de luz independiente, p. ej. conmutación, apertura de puerta o modulación; Optica no lineal
01
para el control de la intensidad, fase, polarización o del color
13
basados en cristales líquidos, p. ej. celdas de presentación individuales de cristales líquidos
133
Disposiciones relativas a la estructura; Excitación de celdas de cristales líquidos; Disposiciones relativas a los circuitos
136
Celdas de cristales líquidos asociados estructuralmente con una capa o un sustrato semiconductores, p. ej. celdas que forman parte de un circuito integrado
1362
Celdas direccionadas por una matriz activa
1368
en los que el elemento de conmutación es un dispositivo de tres electrodos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
B
CABLES; CONDUCTORES; AISLADORES; ,o EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES CONDUCTORAS, AISLANTES O DIELECTRICAS
1
Conductores o cuerpos conductores caracterizados por los materiales conductores utilizados; Empleo de materiales específicos como conductores
02
compuestos principalmente de metales o aleaciones
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
B
CABLES; CONDUCTORES; AISLADORES; ,o EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES CONDUCTORAS, AISLANTES O DIELECTRICAS
5
Conductores o cuerpos conductores no aislados caracterizados por su forma
14
que comprenden capas o películas conductoras sobre soportes aislantes
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
302
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
306
Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
302
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
306
Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica
3065
Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
31
para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas; Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas
3205
Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas, sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
70
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos
71
Fabricación de partes constitutivas específicas de dispositivos definidos en el grupoH01L21/70137
768
Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
52
Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro
522
que comprenden interconexiones externas formadas por una estructura multicapa de capas conductoras y aislantes inseparables del cuerpo semiconductor sobre el cual han sido depositadas
532
caracterizadas por los materiales
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
28
con componentes que utilizan materiales orgánicos como la parte activa o que utilizan una combinación de materiales orgánicos con otros materiales como la parte activa
32
con componentes especialmente adaptados para la emisión de luz, p. ej. monitores de pantalla plana que utilizan diodos emisores de luz orgánicos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786
Transistores de película delgada
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
51
Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas
50
especialmente adaptados para la emisión de luz, p. ej. diodos emisores de luz orgánicos (OLED) o dispositivos emisores de luz poliméricos (PLED)
H ELECTRICIDAD
05
TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
B
CALEFACCION ELECTRICA; ALUMBRADO ELECTRICO NO PREVISTO EN OTRO LUGAR
33
Fuentes de luz electroluminiscente
02
Detalles
H ELECTRICIDAD
05
TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
B
CALEFACCION ELECTRICA; ALUMBRADO ELECTRICO NO PREVISTO EN OTRO LUGAR
33
Fuentes de luz electroluminiscente
02
Detalles
06
Terminales de electrodos
Solicitantes:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
Personas inventoras:
高澤 悟 TAKASAWA Satoru; JP
中台 保夫 NAKADAI Yasuo; JP
新田 純一 NITTA Junichi; JP
石橋 暁 ISHIBASHI Satoru; JP
Mandataria/o:
石島 茂男 ISHIJIMA Shigeo; JP
阿部 英樹 ABE Hideki; JP
Datos de prioridad:
2017-07999113.04.2017JP
Título (EN) LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, SEMICONDUCTOR ELEMENT, WIRING FILM, WIRING SUBSTRATE, AND TARGET
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, FILM DE CÂBLAGE, SUBSTRAT DE CÂBLAGE ET CIBLE
(JA) 液晶表示装置、有機EL表示装置、半導体素子、配線膜、配線基板、ターゲット
Resumen:
(EN) Provided are: a wiring film which is able to be patterned by a single etching process, and which exhibits strong adhesion to a resin substrate; a semiconductor element which uses this wiring film; and a display device. According to the present invention, a base film 21 that is in contact with a resin substrate 30 is a copper thin film which contains, at a predetermined ratio, aluminum that is a main additive metal and silicon, titanium or nickel that is a secondary additive metal, and which exhibits strong adhesion to resins. Consequently, wiring line films 31, 32 (a gate electrode layer 32) do not separate from the resin substrate 30. In addition, since the base film 21 and a low resistance film 22 contain a large amount of copper, the base film 21 and the low resistance film 22 are able to be etched together by means of an etchant or an etching gas by which copper is etched. Consequently, the wiring line films 31, 32 are able to be patterned by a single etching process.
(FR) L'invention porte : sur un film de câblage qui peut être décoré d'un motif au moyen d'un seul processus de gravure et qui présente une forte adhérence à un substrat de résine ; sur un élément semi-conducteur qui utilise ce film de câblage ; et sur un dispositif d'affichage. Selon la présente invention, un film de base (21) qui est en contact avec un substrat de résine (30), est un film mince de cuivre qui contient, selon un rapport prédéterminé, de l'aluminium qui est un métal additif principal, et du silicium, du titane ou du nickel qui est un métal additif secondaire, et qui présente une forte adhérence aux résines. Par conséquent, des films de ligne de câblage (31, 32) (une couche d'électrode de grille (32)) ne sont pas séparés du substrat de résine (30). De plus, puisque le film de base (21) et un film à faible résistance (22) contiennent une grande quantité de cuivre, le film de base (21) et le film à faible résistance (22) peuvent être gravés ensemble au moyen d'un agent de gravure ou d'un gaz de gravure au moyen duquel le cuivre est gravé. Par conséquent, les films de ligne de câblage (31, 32) peuvent être décorés d'un motif au moyen d'un seul processus de gravure.
(JA) 1回のエッチングによってパターニングすることができ、樹脂基板に対する付着力が強い配線膜とその配線膜を用いた半導体素子、表示装置を提供する。樹脂基板30に接触した下地膜21は、主添加金属であるアルミニウムと、副添加金属であるシリコン、チタン又はニッケルを所定割合含有する銅薄膜であり、樹脂に対する付着力が強いので、配線膜31、32(ゲート電極層32)は樹脂基板30から剥離しない。また、下地膜21と低抵抗膜22とは銅を多く含有するので、銅をエッチングするエッチャント又はエッチングガスによって一緒にエッチングすることができるので、配線膜31、32は1回のエッチングによってパターンニングすることができる。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)